35kV电力电缆冷缩式中间接头典型缺陷电场计算及故障分析

通过对含有气隙缺陷的冷缩式中间接头建立物理模型,采用等效电路法分析了气隙尺寸、压接管外绕包半导电层的电阻率对气隙场强的影响。结果表明:气隙尺寸与场强成反比关系,当半导电层的电阻率超过一定值时,气隙场强会显著提升,超过空气最大击穿场强。通过对两例实际接头故障情况的分析,得出与模型分析一致的结论,并提出预防措施,为今后35 k V中压电力电缆接头故障的预防及原因分析提供参考。