葡萄糖水平对CEES染毒16HBE细胞能量代谢的影响及其机制

目的：比较在高糖和低糖培养条件下，经半硫芥（CEES）染毒后支气管上皮细胞（16HBE）能量代谢的变化。方法采用高糖（4．5 mg/ml）和低糖（1．1 mg/ml）两种不同培养基培养16HBE细胞。 MTS法比较细胞增殖和CEES染毒后6 h细胞活性差异；用不同剂量CEES染毒两组细胞，24 h后HPLC检测胞内ATP、ADP、AMP含量，并计算ATP/ADP比值、腺苷酸池（总腺嘌呤核苷酸， total adenine nucleotides ， TAN）及能荷值（能量负荷值，energy charge， EC），Western印迹检测线粒体能量代谢功能酶COX-10和ISCU变化；流式细胞仪检测0．5 mmol/L CEES染毒后5、8、12、24 h时相点线粒体膜电位（MMP）变化。结果低糖培养的16HBE细胞的增殖明显增加，能量代谢指标ADP、TAN、COX-10和ISCU显著高于高糖组。高于0．5 mmol/L染毒剂量的CEES能显著降低高糖、低糖培养的16HBE细胞的活性，且在1．0 mmol/L下两组间差异有显著意义。高糖组在0．5、1．0 mmol/L染毒24 h后，ATP、ADP、TAN显著增高，而ATP/ADP比值及EC显著降低。低糖组在1．0 mmol/L染毒24 h后，ADP、AMP、TAN显著低于染毒前，而ATP/ADP比值及EC显著高于染毒前。在0．5 mmol/L CEES染毒下，高糖组线粒体膜电位在8～12 h显著增加，其后至24 h时恢复至正常水平。低糖组MMP在5 h有一过性显著降低，8 h后与染毒前已无显著差异。高糖培养时，16HBE细胞的氧化磷酸化相关蛋白COX-10和ISCU蛋白水平显著低于低糖培养的细胞；0．5～1．0 mmol/L CEES染毒24 h后，两者的水平显著升高，与低糖组已无显著差异。1．0 mmol/L CEES染毒24 h后，低糖组COX-10和ISCU水平显著降低。结论糖浓度差异会影响16 HBE细胞的能量代谢、增殖和CEES损伤后能量应激反应。高糖可能通过增加细胞的应激反应能力抵抗CEES的细胞毒性作用。

miR-34a通过ERK1/2通路部分逆转CEES染毒对角质形成细胞迁移的抑制

目的研究半硫芥(2-氯乙基乙基硫醚,2-chloroethyl ethyl sulfide,CEES)染毒对角质形成细胞迁移的影响以及miR-34a作用机制。方法体外建立CEES染毒HaCaT细胞模型,采用化学合成miR-34a抑制物转染HaCaT细胞沉默miR-34a,荧光显微镜观察细胞转染效率,细胞划痕实验检测细胞迁移能力,Western印迹检测细胞分化标志物K5和K10、ERK1/2总蛋白及磷酸化水平改变。结果采用0.5 mmol/L CEES染毒后HaCaT细胞迁移显著降低。细胞形态、干性标志物K5和分化标志物K10没有明显变化。miR-34a沉默可以增加细胞迁移能力,迁移相关的信号蛋白ERK1/2通路激活,ERK1/2信号通路抑制剂U0126使用后可以显著降低细胞迁移。结论 miR-34a沉默可以显著增加角质形成细胞迁移,并部分逆转CEES的抑制作用,miR-34a沉默可能部分是通过ERK1/2信号通路激活引起染毒细胞迁移增加。