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低温低偏置条件下SiGe HBT四噪声温度参数建模
1
作者
何林
王军
《制造业自动化》
CSCD
北大核心
2021年第3期132-137,共6页
为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性。在传统SiGe HBT小信号等效电路模型基础上提出了一种简化的等效电路模型,根据与之对应的高频等效噪声电路,建立了一种半经...
为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性。在传统SiGe HBT小信号等效电路模型基础上提出了一种简化的等效电路模型,根据与之对应的高频等效噪声电路,建立了一种半经验散粒噪声模型,利用噪声合成的方法验证了该模型的有效性,基于上述工作推导了一组实用的四噪声温度参数模型。7K、77K和300K条件下的模型结果共同表明:只要保证集电极-发射极电压VCE的值大于100mV~200mV,SiGe HBT就可以保持良好的噪声特性工作在低温低偏置条件下。
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关键词
低温低偏置
SiGe
HBT
小信号等效电路
半经验噪声模型
四
噪声
温度参数
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职称材料
题名
低温低偏置条件下SiGe HBT四噪声温度参数建模
1
作者
何林
王军
机构
西南科技大学信息工程学院
出处
《制造业自动化》
CSCD
北大核心
2021年第3期132-137,共6页
基金
国家自然科学基金项目(699010003)。
文摘
为了保证硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)在极端环境下工作的可靠性,研究了其在低温低偏置条件下的噪声特性。在传统SiGe HBT小信号等效电路模型基础上提出了一种简化的等效电路模型,根据与之对应的高频等效噪声电路,建立了一种半经验散粒噪声模型,利用噪声合成的方法验证了该模型的有效性,基于上述工作推导了一组实用的四噪声温度参数模型。7K、77K和300K条件下的模型结果共同表明:只要保证集电极-发射极电压VCE的值大于100mV~200mV,SiGe HBT就可以保持良好的噪声特性工作在低温低偏置条件下。
关键词
低温低偏置
SiGe
HBT
小信号等效电路
半经验噪声模型
四
噪声
温度参数
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温低偏置条件下SiGe HBT四噪声温度参数建模
何林
王军
《制造业自动化》
CSCD
北大核心
2021
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