期刊文献+
共找到2篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
半绝缘半导体电阻率无接触测试设备的研究 被引量:1
1
作者 王昕 李俊生 +1 位作者 田蕾 叶灿明 《仪器仪表用户》 2018年第2期15-17,91,共4页
半绝缘半导体包含了第二代和第三代半导体,它们在微波、光电子、新能源及微电子领域有着广泛的应用,电阻率一般在10~5Ω·cm^10^(12)Ω·cm之间。要研究此类新材料的电阻率分布状况已无法用现有的探针法、霍尔法、I-V法实现。因... 半绝缘半导体包含了第二代和第三代半导体,它们在微波、光电子、新能源及微电子领域有着广泛的应用,电阻率一般在10~5Ω·cm^10^(12)Ω·cm之间。要研究此类新材料的电阻率分布状况已无法用现有的探针法、霍尔法、I-V法实现。因此,参照德国din标准及我国电子行业标准,用TDCM法研发了"半绝缘半导体电阻率分布测绘仪",设计并研制了电容性探头、高精度三维测试台,开发了以拟合曲线为基础的数据处理及绘图软件,实现了对直径6英寸以下SiC、GaAs、CdZnTe等晶片的无接触电阻率扫描测绘,给出了彩色分布图。 展开更多
关键词 半绝缘半导体 电阻率 无接触测量
下载PDF
Ion implantation of semi-insulating InP materials
2
作者 ZENG Qinggao(Chongqing Optoelectronics Research Institute,Yongchuan 632163,CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1995年第1期1-8,共8页
The methods for protecting InP surface against degradation during annealing,including encapsulant and encapsulant-free techniques;rapid thermal annealing of InP implanted layers;implanted ion species and some profiles... The methods for protecting InP surface against degradation during annealing,including encapsulant and encapsulant-free techniques;rapid thermal annealing of InP implanted layers;implanted ion species and some profiles of typical dopants,etc.,they are all the key techniques concerning ion implantation into semi-insulating InP,and have been reviewed synthetically as well. 展开更多
关键词 Ion Implantation ANNEALING Surface Treatment
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部