半绝缘InP（Fe）的低温氯化物VPE生长

介绍了一种半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）的低温氯化物气相外延（ＶＰＥ）生长方法，生长温度为５５０℃，可为金属有机气相淀积的量子阱结构二次外延半绝缘ＩｎＰ（Ｆｅ）盖层。４０μｍ层厚时电阻率超过５×１０８Ωｃｍ，临界击穿电压达到１０Ｖ以上。用这种方法制备的激光器阈值电流达８０ｍＡ，较平板式的降低３倍，远场图样平行和垂直结平面方向光功率曲线对称性良好，远场发散角，器件测试得到较好光谱。目前尚未见到其它类似报道。

微阵列光寻址生化传感器系统性能研究

该文介绍一种基于电解质溶液-绝缘层-半导体(EIS)结构的光、机、电一体化的微阵列光寻址电位传感器系统(LAPS)。文中研讨了LAPS的基本原理和微阵列光寻址电位传感器系统的制造。通过实验证明了芯片厚度、调制频率、曲线线性度对系统性能的影响,获得多种生化参数的光寻址测试结果。

大功率晶闸管芯片终端钝化技术

为提高大功率晶闸管使用的可靠性,芯片终端采用新型半绝缘层钝化代替传统绝缘层钝化,以避免界面电荷的积累。文章借助计算机辅助设计(TCAD)模拟界面电荷对高压直流输电用晶闸管阻断能力的影响,并通过高温阻断试验、湿度试验等来进一步比较两种不同的芯片终端钝化方式。试验证明,半绝缘层钝化可大大提高器件的可靠性,且器件热疲劳寿命能满足HVDC工程应用需求。