期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
1
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析
被引量：
2
1
作者
李琦
张显斌
施卫
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期1086-1089,共4页
报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 3mm的横向半绝缘GaAs光导开关的实验结果 对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析 ,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异 。
关键词
光电导开关
半绝缘gaas器件
超快线性时间响应
砷化镓
下载PDF
职称材料
题名
半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析
被引量：
2
1
作者
李琦
张显斌
施卫
机构
西安理工大学自动化学院
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第9期1086-1089,共4页
基金
国家自然科学基金
(No.5 0 0 770 1 7)
+1 种基金
陕西省教育厅产业化培育项目 (No.0 1JK2 5 )
瞬态光学技术国家重点实验室开放基金 (No .YAK2 0 0 0 2 )资助项目
文摘
报道了用 1 0 64nm激光脉冲触发电极间隙为 3mm的横向半绝缘GaAs光导开关的实验结果 对半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应特性做了分析 ,表明半绝缘GaAs材料EL2能级对电子和空穴的俘获截面有较大的差异 。
关键词
光电导开关
半绝缘gaas器件
超快线性时间响应
砷化镓
Keywords
Photoconductive switch
gaas
switches
Ultr linear time response
分类号
TN24 [电子电信—物理电子学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半绝缘GaAs光电导开关的超线性时间响应分析
李琦
张显斌
施卫
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
2
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
