1
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半超结JBS反向恢复软度特性研究 |
王卉如
关艳霞
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《微处理机》
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2023 |
0 |
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2
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新型高压半超结功率MOSFET的优化设计 |
荆吉利
钱钦松
李海松
孙伟锋
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《电子器件》
CAS
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2009 |
1
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3
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半超结VDMOS的研究 |
陈文高
荆吉利
孙伟锋
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
6
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4
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一款VDMOS半超结元胞结构的设计 |
刘铭
冯全源
庄圣贤
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《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
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2015 |
1
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5
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4H-SiC基半超结VDMOSFET单粒子烧毁效应 |
刘忠永
蔡理
刘保军
刘小强
崔焕卿
杨晓阔
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《空军工程大学学报(自然科学版)》
CSCD
北大核心
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2018 |
1
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6
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新型半超结逆导IGBT的导通机理分析 |
陆素先
向超
钟传杰
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《电子设计工程》
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2019 |
2
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7
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非对称阳极结构的半超结功率二极管 |
谢加强
马丽
高勇
王逍遥
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《电力电子技术》
CSCD
北大核心
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2018 |
0 |
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8
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具有三明治集电极结构的新型无电压回跳半超结RC-IGBT |
肖紫嫣
刘超
夏云
陈万军
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《电子与封装》
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2020 |
1
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9
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半超结SBD的研究 |
郝红蕾
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《信息通信》
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2013 |
0 |
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10
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半超结VDMOS器件设计与应用 |
孙晓儒
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《电子世界》
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2016 |
0 |
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11
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含GaN/AlGaN双异质结源极和半超结的增强型垂直HFET的静态特性 |
汪子盛
韦文生
杨晨飞
丁靖扬
陈超逸
杨锦天
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《功能材料与器件学报》
CAS
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2023 |
0 |
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12
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半超结SiGe高压快速软恢复开关二极管 |
马丽
高勇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
7
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13
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电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管击穿电压的影响 |
杨帅
汤晓燕
张玉明
宋庆文
张义门
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
0 |
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14
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超级结电场分布仿真分析 |
王卉如
揣荣岩
关艳霞
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《微处理机》
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2022 |
1
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