静态随机存储器双向互锁存储单元的抗老化设计

为了延长抗辐照静态随机存储器双向互锁存储单元(DICE)电路的使用时限,得到偏置温度不稳定性效应(BTI)老化效应对DICE单元性能的具体影响,提出抗老化设计方案.通过SPICE仿真实验,分析DICE单元的老化特性,发现因老化加重的读干扰和半选择干扰是影响DICE结构的SRAM单元稳定性和寿命的主要原因.针对DICE单元抗辐照结构的特性,提出新的DICE单元读写端口结构.通过在组成读写端口的4个晶体管之间加入额外的控制晶体管,阻断了DICE单元存储节点相连的路径,消除了读干扰和半选择干扰的影响,避免了单元的读故障和半选择故障的出现.改进后的DICE单元在读状态和半选择状态时的抗辐照能力与改进前相比得到了提升.通过仿真实验,验证了改进后DICE单元的功能正确性和抗老化有效性,直接减少了DICE单元经过108 s老化后22.6%的读失效率.

40/28纳米存储器IP技术综述

本文介绍了28nm/40nm存储器I P的设计挑战及智原科技提供的相应解决方案。硅验证的结果也证明了有效性。这些技术包括:ROM设计裕度改进、SRAM读写辅助方案、在低VCC电压自适跟踪的检测裕度控制方案和在双端口SRAM中同时访问双端口时单元电流增强。所提出的方法都是对工艺参数波动容忍,适合编译器的有效解决方案并减少面积开销。