原子核磁共振显微检测芯片的磁路设计

基于磁路设计理论首先设计了一种适用于原子核磁共振显微检测芯片的永磁磁路;然后根据磁路磁通折射定理和基尔霍夫第一定律对设计的磁路模型进行理论分析,提出了单一匀场环磁路性能优化方法;最后利用有限元方法分别计算了优化前的磁路、单一匀场环优化后磁路和传统的双匀场环优化后磁路.计算结果表明:相比优化前和采用传统的双匀场环优化后的磁路,采用单一"匀场环"优化后的磁路其性能最优,工作区域内磁场强度和均匀度都得到了极大的提高,磁场强度达到0.703 544 T,工作区域内磁场均匀度为14×10-6.因此所设计的磁路能够较好地满足原子核磁共振显微检测芯片的需求.