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题名绝缘栅场效应管工作原理的统一表述
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作者
陈德芳
熊国海
刘敏
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机构
三峡大学电气信息学院
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出处
《三峡大学学报(自然科学版)》
CAS
2002年第5期397-400,共4页
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文摘
关于绝缘栅场效应管的工作原理,现行教材有几种不同的讲解,观点各不相同。结构示意图和特性曲线画法不同。但是,对同一类的场效应管而言,结构示意图和特性曲线只能有一种表述形式是正确的。从场效应管的基本结构出发,用新观点、新方法说明其基本工作原理,击穿的位置,击穿的原因。提出工作原理结构示意图的统一表述方法应当是在源衬、漏衬PN结之间是正负离子对应的耗尽层,在反型层与衬底之间是单一离子层(它不应该与耗尽层混同)。漏极特性曲线的统一表述规律是截止状态时的漏源击穿电压|BV′_DS|是各个不同V_GS时,击穿电压的最大值。
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关键词
绝缘栅场效应管
耗尽层
单一离子层
击穿
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Keywords
insulated gate field-effect transistor
depletion layer
unitary ions layer
breakdown
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分类号
TN401
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名绝缘栅场效应管的机理研究
被引量:1
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作者
孔令彬
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机构
中国地质大学
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出处
《电子器件》
CAS
1997年第1期15-19,共5页
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文摘
本文论述了绝缘栅场效应管的导电机理和特性,提出了新的观点和看法.
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关键词
耗尽层
单一负离子层
绝缘栅
场效应管
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Keywords
Depletion layer, Single negative ion layer, P variant N region
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分类号
TN386.2
[电子电信—物理电子学]
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