大气压射频单介质阻挡放电中放电通道收缩现象的研究

大气压射频辉光放电产生的等离子体具有温和的温度、较好的稳定性和较强的化学活性而广泛应用于工业生产、生物处理等领域。为提高工作效率、增加放电均匀性,应避免产生放电收缩现象。为此,设计了一个带水冷铜电极的射频单介质阻挡放电系统,在大气压下研究氮气和氩气放电收缩形成的机制。纳秒级ICCD相机拍摄的放电图像揭示出在大气压下氮气和氩气放电中明显存在放电通道收缩现象,在放电周期内放电通道形状保持不变,但在不同位置的发光强度随射频电源的频率作周期性变化。通过分析放电图像的三维时空分辨图和二维时间分辨图,发现上下电极表面附近的发光强度在一个射频周期内交替出现一个峰,但峰出现时间上为非对称。这不同于射频裸电极放电,也不同于射频双介质阻挡放电。分析认为发光强度峰在一个射频周期内交替出现的时间非对称性是由于非对称电极表面电荷积累和二次电子发射差异造成。

双金属镜微腔结构中单介质调谐层的设计

根据优化势透射率给出了双金属镜微腔中理想单介质调谐层的折射率和厚度,估算了由于在可见光波段实际材料的限制引起的透射率光谱的改变,并且结合腔镜的反射系数和位相改变引起的微腔辐射因子的变化,综合考虑了单介质调谐层对整个器件发光耦合效率的影响。说明在设计含有源层的金属薄膜微腔器件中,介质层的设计和优化应考虑微腔效应的变化。

单介质阻挡放电等离子体激励对平板气膜冷却性能的影响

为了研究单介质阻挡放电(SDBD)等离子体激励对平板气膜冷却性能的影响,采用数值求解耦合等离子体电动激励力的雷诺时均Navier-Stokes(RANS)方程组的方法,利用已有的实验数据考核了等离子体线性化激励模型和数值求解方法的有效性,获得了6种归一化激励强度、5种归一化激励频率和3种吹风比条件下,存在SDBD等离子体激励时壁面的气膜冷却效率分布及其附近的流场结构,并与无等离子体激励的气膜冷却工况进行了对比。研究结果表明:与无SDBD等离子体激励时相比,施加SDBD等离子体激励显著提升了平板气膜冷却性能,抑制了气膜孔下游肾形涡对的发展,使近壁面流向速度梯度增大、流向速度峰值提升、冷气沿展向及流向的覆盖范围均扩大。当归一化激励强度由40增至140时,平板气膜冷却效率显著提高;当归一化激励强度为100时,中心线及展向平均气膜冷却效率的极值分别比无SDBD等离子体激励的工况提高了105%及200%。当归一化激励频率由1.25增至6.25时,平板气膜冷却效率也逐渐提升;与无SDBD等离子体激励的工况相比,当归一化激励频率为3.75时,中心线及展向平均气膜冷却效率极值分别提升了75%及100%。平板气膜冷却性能随吹风比的增大逐渐恶化;当吹风比由0.5增至1时,壁面中心线及展向平均气膜冷却效率的极值分别降低了23.9%及49.2%。

金属膜对单介质板太赫兹波导传输特性的影响

理论分析了对称金属薄膜镀层对厚单介质板太赫兹波导TM模传输特性的影响,发现镀膜前后TM模损耗相差巨大,并且随太赫兹频率的增加TM模损耗差异会更大。对低损耗厚单介质板,金属膜对TM模损耗的影响不可忽视。进一步研究了镀膜对TM模模场分布的影响,发现镀膜前后厚单介质板内TM模模场分布显著不同。

经颅磁刺激联合咪达唑仑对癫痫持续状态患儿脑单胺类神经介质的影响

目的 探讨经颅磁刺激联合咪达唑仑对癫痫持续状态患儿脑单胺类神经介质的影响。方法 将150例癫痫持续状态患儿按照随机数字表法分为观察组和对照组。对照组采用咪达唑仑治疗。观察组在对照组基础上,给予经颅磁刺激治疗。比较两组的临床疗效。记录全部患儿的发作次数、持续时间、控制时间、意识正常时间。检测两组患者治疗前后血清中γ-氨基丁酸(GABA)、多巴胺(DA)、5-羟色胺(5-HT)的水平。运用癫痫持续状态严重程度量表(STESS)评估患者的癫痫程度。结果 观察组的疗效比对照组高,差异有统计学意义(P <0.05)。两组治疗后发作次数、持续时间明显降低(P <0.05);观察组治疗后的发作次数、持续时间、控制时间、意识正常时间比对照组低,差异有统计学意义(P <0.05)。两组治疗后的DA明显升高,GABA、5-HT明显降低(P <0.05);观察组治疗后的DA比对照组高,GABA、5-HT比对照组低,差异有统计学意义(P <0.05)。两组治疗后STESS评分明显降低,而观察组降低得更明显,差异有统计学意义(P <0.05)。结论 经颅磁刺激联合咪达唑仑治疗可提高癫痫持续状态的疗效,减轻患儿癫痫症状,可能与调节脑单胺类神经介质有关。

单裂隙介质中的溶质运移研究综述

总结了有关单裂隙介质中溶质运移的基本特点和实验研究的成果,得出影响单裂隙介质中溶质运移的几个重要因素,例如骨架扩散、弥散、表面吸附等,介绍了几个具有代表性的数学模型,同时对模型的有效性和局限性进行了初步讨论。

单孔隙介质渗流问题的统一解

本文应用 Ｇｒｅｅｎ 函数方法和 Ｎｅｗ ｍ ａｎ 乘积方法给出了单孔隙介质油藏的源函数表达形式的压力通解，为方便计算给出了两种形式的源函数表达式。借助于褶积积分公式提出了在 Ｌａｐｌａｃｅ 空间内考虑井筒储存效应和污染效应存在时井底压力的计算方法。

单裂缝多孔介质渗透特性研究

单裂缝多孔介质渗透特性的研究是裂缝性介质渗流分析的基础。针对含单裂缝的多孔介质,分别利用Darcy方程和Stokes方程描述基岩和裂缝中的流动,采用连续边界条件、Bea-vers-Joseph边界条件和Beavers-Joseph-Saffm an边界条件,得到考虑基岩渗透率的广义立方定律和分别满足3种边界条件的单裂缝介质的等效渗透率理论计算公式。参数分析表明,由3种边界条件所得到的单裂缝介质的等效渗透率较为一致(尤其当α>1时),因此应用经典的连续边界条件可简化问题,提高计算效率。研究结果为含裂缝多孔介质流动分析的参数确定提供了理论依据。

脑缺血纹状体细胞外液单胺类介质及其代谢物的微透析研究

目的观察脑缺血再灌注时鼠脑纹状体区细胞外液（ＥＣＦ）多巴胺（ＤＡ）、去甲肾上腺素（ＮＥ）、５－羟色胺（５－ＨＴ）及其代谢产物高香草酸（ＨＶＡ）和５－羟吲哚乙酸（５－ＨＩＡＡ）的动态变化。方法采用脑内微透析技术，用高压液相色谱测定了前脑缺血３０ｍｉｎ、再灌注１２０ｍｉｎ时ＥＣＦＤＡ、ＮＥ和５－ＨＴ的变化。结果脑缺血１０ｍｉｎ时ＥＣＦＤＡ、ＮＥ迅速升高为缺血前的２８２和９１４倍，持续整个缺血期，再灌注后迅速下降达缺血前水平。脑缺血期ＨＶＡ、５－ＨＩＡＡ迅速下降，在缺血３０ｍｉｎ时达缺血前的４５％和５２％，再灌注后升高并在再灌注后６０ｍｉｎ，９０ｍｉｎ达缺血前的１５０％、１１３％。

MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效分析

为验证一款GaN功率放大器抗空间辐射效应能力,对其进行了重离子单粒子效应试验研究。被试样品是由GaN HEMT、MOS电容器和电感器等组成的混合电路。试验源为加速器产生的锗离子(Ge^+13,能量205 MeV),线性能量传输(LET)值为37.4 MeV cm^2/mg。试验结果是:GaN HEMT性能未出现变化;MOS电容器发生了介质击穿失效,造成功率放大器功能失效。经验公式计算的单粒子介质击穿电压,与重离子试验结果基本吻合,得出MOS电容器单粒子介质击穿导致GaN功率放大器失效。研究表明,混合电路中无源的MOS电容器也会发生单粒子介质击穿失效,应用于空间环境时应进行单粒子效应评估。

手术应激状态下中枢单胺神经介质相互关系研究

手术应激状态下中枢单胺神经介质相互关系研究金卫东，臧德馨，唐珞珈河南省焦作市解放军１６０医院（４５４０００）湖北医科大学神经精神疾病研究所武汉大学分析测试中心已有研究揭示手术应激可改变中枢单胺神经介质的代谢［１，２，３］，为了进一步探讨中枢单胺神经介...

吗啡成瘾的大鼠行为改变及其与脑内单胺类神经介质含量变化的关系

本文以64只大鼠为材料,采用饮服和腹腔注射吗啡的方法,建立大鼠对吗啡成瘾性的实验模型,观察它们的行为改变和脑内单胺类神经介质含量的变化,结果发现:两种方法都可使大鼠成瘾,成瘾时间在给药后的第四周左右形成;成瘾后的大鼠对药物产生明显的依赖性,每天对吗啡的摄取量大致稳定在35mg/kg左右;如突然停药大鼠表现出不安静状态,活动增加,体重下降;食物运动性条件反应的反应时与戒断前相比明显缩短,错误次数减少;成瘾后的大鼠脑内单胺类神经介质的含量也发生改变,NE和DA有所下降,而5-HT和5-HIAA则显著升高,对于这种变化是原发性的还是继发性的还需进一步研究。

丙咪嗪对大鼠应激条件下脑内单胺介质代谢的影响

本实验观察了预先给大鼠丙咪嗪后对应激引起的脑内单胺类介质代谢变化的影响。一次给药未改变应激引起的变化,而反复给药则有效地阻止了应激条件下脑内多数部位5羟色胺代谢率的增快,以及下丘脑去甲肾上腺素含量的急剧下降。结果提示反复给丙咪嗪对应激引起的脑内单胺代谢变化具有预防作用。

内啡肽和单胺类介质在脑缺血时的动态变化

建立大白鼠全脑缺血动物模型，用ＲＩＡ法及荧光分光光度计检测了缺血脑组织匀浆的ＬＥＫ、β－ＥＰ．ＤｙｎＡ１－１３及 ５－ＨＴ和 ５－ＨＩＡＡ的含量，ＬＥＫ在脑组织缺血 ６０ ｍｉｎ时含量略下降，但无统计学意义；β－ＥＰ在脑组织缺血 ３０ ｍｉｎ时显著下降（Ｐ＜０． ０５），缺血 ６０ ｍｉｎ时下降非常显著（Ｐ＜０． ０１）；ＤｙｎＡ１－１３和 ５－ＨＩＡＡ含量在缺血 ６０ ｍｉｎ时明显上升，而 ５－ＨＴ含量则显著下降。上述结果提示内啡肽和单胺类介质均参与了缺血性脑损伤的病理过程。

在直接过滤中单介质和双介质过滤器效率比较Torabian,A.等（Fac.Environment,Univ.Tehran,Iran） .Water＆Wastewater

近年来，由于水源短缺、水处理能耗大和成本高，双介质过滤器(DMF)和直接过滤的使用更引起人们的关注。另一方面，过滤是水处理设备(WTP)的核心，大约占设备总投资的20％。因此，从经济角度出发，优化设计非常重要。木研究试图通过DMF(无烟煤和砂)和单介质过滤器(SMF)对直接过滤加以评价。中试结果表明，用DMF，并使用低剂量的混凝剂，在各个季节都可以取得很好的效果，要求原水浊度低于15～20NTU。

精神分裂症患者中枢单胺神经介质相互关系变化的研究

在应用高压液相色谱（ＨＰＬＣ）测试了６７例精神分裂症和１０例健康对照组脑脊液（ＣＳＦ）中三种单胺介质及其代谢产物的基础上，分析了单胺介质间的关系及其变化方向，为神经介质问相互作用的改变与精神分裂症的关系提供一项有力的证据。

单电极介质阻挡放电离子源的消电子技术研究

基于电场绝缘屏蔽技术的单电极介质阻挡放电离子源(DBDI),具有放电均匀、稳定、离子化能量高等优点,可实现对更大极性范围样品的快速检测。较高的离子化能量也增大了质谱图的背景噪声水平,对部分弱极性、低沸点样品的检测信噪比不高。本研究发展了基于单电极DBDI体系的外置电极消电子技术,探讨了外置针电极和外置金属网的消电子机理及其检测效果。结果表明,外置金属网消电子技术显著提高了部分弱极性样品的检测信噪比,异丙威、全氟辛酸、苏丹红Ⅲ的信噪比提升了5~6倍。基于该技术测定辣椒粉中苏丹红Ⅲ,回收率为83.7%~94.6%,相对标准偏差(RSD)为5.6%~9.0%,检出限为23 mg/kg,满足辣椒粉中苏丹红Ⅲ添加剂检测分析的要求。外置金属网消电子技术进一步提高了单电极DBDI对弱极性、低沸点、复杂样品的检测能力。

精神分裂症中枢单胺神经介质研究的方法学——(一)相对代谢率概念

在精神分裂症发病机制或假说中,神经介质假说的探讨和试验性研究最为引人注目,特别是单胺神经介质假说有相当的地位。最可说明问题的是神经松弛剂作为多巴胺受体阻滞剂可明显地缓解精神病性症状。研究.●--‘

精神分裂症中枢单胺神经介质的研究方法——(二)相互作用的理论与实践

一、理论:协同学与耗散结构观点之启示 在此,我们首先将中枢单胺神经介质及其所隶属的神经元和结构看成一个功能系统。 “协同学”(Synergetics)为西德科学家H.哈肯所创立。他是关于系统中各个子系统之间相互协同的科学。系统之行为是构成该系统所有子系统间以很有规律方式相互作用的贡献,即有协同合作。

精神疾病中枢单胺神经介质研究的另一方法 学色氨酸及其竞争性氨基酸比值研究

在此，我们介绍精神疾病中枢单胺神经介质研究的另一有意义指标：色氨酸(Tryptophan，TRP)与其竞争性氨基酸(Compcting amine acid，ComAA或CAA)的比值，即TRP／ComAA或TRP／CAA。