新型热离子光电探测器

本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件，在基本结构上异于普通的ｐ－ｉ－ｎ光电两极管，雪崩两极管及光电三极管，而又区别于其它多子器件：①存在着一个大的中央ｐ＋ｎ－结区域，它在功能上类似空穴存储库。③在ｐｎ两极管的周围处有一个特殊形状的ｎ＋＋ｐ＋ｎ－框架结构。普通光电两极管在６３３ｎｍ的绝对灵敏度为０．３５Ａ／Ｗ，新器件为１．３６Ａ／Ｗ。

微型化太赫兹集成器件的前沿技术进展

针对国际上太赫兹器件技术进展予以概括和分析,提炼出共振隧穿二极管、单向载流子传输光电二极管2种可行的小型化器件方案。在材料生长和器件结构方面分析了太赫兹波的产生原理和难点,在系统应用方面解释了短距离高速通信的实用案例。目前,采用共振隧穿二极管已实现2.5 Gbps速率的300 GHz无线通信演示实验,采用单向载流子传输光电二极管在该频点下实现了12.5 Gbps的无线通信实验。

UTC-PD和RTD单片集成的器件模拟研究

单行载流子光电二极管与共振隧穿二极管单片集成器件是一种新型高速光电探测器,也是高速光电单稳双稳转换逻辑电路的一个基本单元。用Atlas软件对该集成电路单元进行了直流和交流特性的模拟研究,模拟得到的3dB带宽最高可达9THz。模拟发现,光照强度、吸收层厚度、掺杂浓度、收集层浓度是影响器件3dB带宽的主要因素。研究了器件材料参数、结构参数与器件3dB带宽之间的关系,并得到在现行工艺下优化后的单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的工艺参数,模拟出3dB带宽为1.03THz。同时,对器件模拟和半导体工艺间的误差进行了分析和估计。这一工作为单行载流子光电二极管和共振隧穿二极管单片集成器件的设计和研制提供了工艺参数基础。