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一种单大马士革结构超厚铜集成电感
1
作者
曾绍海
陈张发
李铭
《集成电路应用》
2018年第4期51-54,共4页
成功开发超厚介质膜的淀积和刻蚀工艺、超厚金属铜的电镀和化学机械研磨等工艺,采用与CMOS完全兼容的铜互连单大马士革工艺制作了超厚金属铜集成电感。该超厚金属铜电感在1~3 GHz频率范围内的电感值均匀,在2.5 GHz频率下的Q值达到11。...
成功开发超厚介质膜的淀积和刻蚀工艺、超厚金属铜的电镀和化学机械研磨等工艺,采用与CMOS完全兼容的铜互连单大马士革工艺制作了超厚金属铜集成电感。该超厚金属铜电感在1~3 GHz频率范围内的电感值均匀,在2.5 GHz频率下的Q值达到11。并且进一步研究了线圈圈数、金属线宽和金属间距对电感值和Q值的影响。
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关键词
集成电路制造
工艺开发
单大马士革
铜电感
品质因子Q
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职称材料
题名
一种单大马士革结构超厚铜集成电感
1
作者
曾绍海
陈张发
李铭
机构
上海集成电路研发中心有限公司
出处
《集成电路应用》
2018年第4期51-54,共4页
基金
国家重大专项课题(2011ZX02702_004)
文摘
成功开发超厚介质膜的淀积和刻蚀工艺、超厚金属铜的电镀和化学机械研磨等工艺,采用与CMOS完全兼容的铜互连单大马士革工艺制作了超厚金属铜集成电感。该超厚金属铜电感在1~3 GHz频率范围内的电感值均匀,在2.5 GHz频率下的Q值达到11。并且进一步研究了线圈圈数、金属线宽和金属间距对电感值和Q值的影响。
关键词
集成电路制造
工艺开发
单大马士革
铜电感
品质因子Q
Keywords
IC manufacturing
process development
single damascene
copper inductor
quality factor Q
分类号
TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名
作者
出处
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1
一种单大马士革结构超厚铜集成电感
曾绍海
陈张发
李铭
《集成电路应用》
2018
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