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单室Gasar工艺中抽拉速率对藕状多孔Cu气孔形貌的影响
被引量:
3
1
作者
卓伟佳
刘源
李言祥
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期921-929,共9页
采用单室Gasar工艺,通过实验研究和Procast凝固模拟相结合,研究了坩埚抽拉速率对凝固界面形貌、铸锭平均凝固速率、藕状多孔Cu气孔形貌、气孔生长方向以及相应多孔结构参数的影响规律.研究表明,随着抽拉速率的升高,凝固界面从凸界面向...
采用单室Gasar工艺,通过实验研究和Procast凝固模拟相结合,研究了坩埚抽拉速率对凝固界面形貌、铸锭平均凝固速率、藕状多孔Cu气孔形貌、气孔生长方向以及相应多孔结构参数的影响规律.研究表明,随着抽拉速率的升高,凝固界面从凸界面向平界面再向凹界面演化.当凝固界面为凸界面和凹界面时,气孔生长方向都会偏离铸锭抽拉方向.而只有在合适的抽拉速率条件下使凝固界面以平界面方式推进,才能获得气孔完全平直生长的优质藕状多孔Cu.实验和模拟结果显示,在本实验条件下,当抽拉速率为1 mm/s时,铸锭凝固界面基本以平界面方式推进;藕状多孔Cu铸锭的气孔率不受抽拉速率的影响,但随着抽拉速率的增大,平均孔径和通孔率会逐渐降低.
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关键词
藕状多孔Cu
单室gasar工艺
抽拉速率
气孔形貌
原文传递
题名
单室Gasar工艺中抽拉速率对藕状多孔Cu气孔形貌的影响
被引量:
3
1
作者
卓伟佳
刘源
李言祥
机构
清华大学材料学院
清华大学机械工程系先进成形制造教育部重点实验室
出处
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期921-929,共9页
基金
国家自然科学基金项目51271096
新世纪优秀人才计划项目NCET-12-0310资助~~
文摘
采用单室Gasar工艺,通过实验研究和Procast凝固模拟相结合,研究了坩埚抽拉速率对凝固界面形貌、铸锭平均凝固速率、藕状多孔Cu气孔形貌、气孔生长方向以及相应多孔结构参数的影响规律.研究表明,随着抽拉速率的升高,凝固界面从凸界面向平界面再向凹界面演化.当凝固界面为凸界面和凹界面时,气孔生长方向都会偏离铸锭抽拉方向.而只有在合适的抽拉速率条件下使凝固界面以平界面方式推进,才能获得气孔完全平直生长的优质藕状多孔Cu.实验和模拟结果显示,在本实验条件下,当抽拉速率为1 mm/s时,铸锭凝固界面基本以平界面方式推进;藕状多孔Cu铸锭的气孔率不受抽拉速率的影响,但随着抽拉速率的增大,平均孔径和通孔率会逐渐降低.
关键词
藕状多孔Cu
单室gasar工艺
抽拉速率
气孔形貌
Keywords
lotus-type porous copper, single mold
gasar
process, withdrawing rate, pore morphology
分类号
TG249.6 [金属学及工艺—铸造]
TG146 [金属学及工艺—金属材料]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单室Gasar工艺中抽拉速率对藕状多孔Cu气孔形貌的影响
卓伟佳
刘源
李言祥
《金属学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
3
原文传递
已选择
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