期刊文献+
共找到4篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
化学气相沉积法在蓝宝石衬底上可控生长大面积高质量单层二硫化钨 被引量:3
1
作者 巩哲 何大伟 +2 位作者 王永生 许海腾 董艳芳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第8期984-989,共6页
在常压条件下使用CVD法生长单层WS_2,通过改变实验条件实现控制晶粒大小或生长成薄膜的目的。采用光学显微镜、拉曼、光致发光谱等对制备的样品进行表征,得到了结晶质量高、尺寸达120μm的单层WS_2晶粒。同时讨论了几个重要参数如温度... 在常压条件下使用CVD法生长单层WS_2,通过改变实验条件实现控制晶粒大小或生长成薄膜的目的。采用光学显微镜、拉曼、光致发光谱等对制备的样品进行表征,得到了结晶质量高、尺寸达120μm的单层WS_2晶粒。同时讨论了几个重要参数如温度、生长时间以及钨源用量等对生长单层WS_2的影响。结果表明:温度对CVD生长WS_2影响最大,高温有助于生长高结晶质量的WS_2。调节生长时间可以控制WS_2晶粒的大小,较长时间能生长出连续的薄膜。过量的S蒸汽会抑制WS_2生长,影响结晶质量。 展开更多
关键词 单层二硫化钨 化学气相沉积 拉曼光谱 光致发光谱
下载PDF
基于单层二硫化钨光控太赫兹调制器的研究 被引量:4
2
作者 付亚州 谭智勇 +1 位作者 王长 曹俊诚 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第5期655-661,共7页
在太赫兹技术的应用中,控制太赫兹波的传输非常重要,太赫兹调制器被认为是下一代太赫兹无线通信中的重要器件.成功地研究了一种硅上生长单层二硫化钨的新型光泵浦太赫兹调制器,由于在硅衬底和二硫化钨的交界处出会形成异质结,二硫化钨... 在太赫兹技术的应用中,控制太赫兹波的传输非常重要,太赫兹调制器被认为是下一代太赫兹无线通信中的重要器件.成功地研究了一种硅上生长单层二硫化钨的新型光泵浦太赫兹调制器,由于在硅衬底和二硫化钨的交界处出会形成异质结,二硫化钨充当着催化剂的作用,在光泵浦的作用下,在异质结处催化出更多的载流子,因此实现了更大的调制深度.结果表明,在泵浦光波长为660 nm、功率仅为117 mW时,该调制器的调制深度达到了63.6%.这种新型二维过渡金属硫化物对太赫兹波的调制有着更高的效率,使其在太赫兹技术中有很好的应用前景. 展开更多
关键词 太赫兹 光控调制器 单层二硫化钨 催化
下载PDF
单层二硫化钨-羧基化多壁碳纳米管修饰玻碳电极测定水中对硝基苯胺 被引量:2
3
作者 彭苏娟 陈海川 +3 位作者 梅勇 顾缨缨 宋世震 潘洪志 《理化检验(化学分册)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第4期303-308,共6页
制备单层二硫化钨(WS2)与羧基化多壁碳纳米管(CMWCNTs)复合材料,用以修饰玻碳电极(GCE),构建了 WS2/CMWCNTs/GCE电化学传感器测定水中对硝基苯胺(PNA)。采用循环伏安法(CV)对修饰电极进行表征,探讨了 PNA在修饰电极上的电化学行为,结果... 制备单层二硫化钨(WS2)与羧基化多壁碳纳米管(CMWCNTs)复合材料,用以修饰玻碳电极(GCE),构建了 WS2/CMWCNTs/GCE电化学传感器测定水中对硝基苯胺(PNA)。采用循环伏安法(CV)对修饰电极进行表征,探讨了 PNA在修饰电极上的电化学行为,结果表明:WS2/CMWCNTs复合膜对PNA有显著的电催化作用,循环伏安曲线显示在pH 7.0的磷酸盐缓冲溶液中,PNA在-0.7 V处有明显的还原峰,在优化的试验条件下,PNA的浓度在500 μmol·L^(-1)以内与其峰电流呈线性关系,检出限(3s/k)为0.63 μmol·L^(-1)。应用构建的修饰电极对废水进行分析,加标回收率为92.8%~102%,测定值的相对标准偏差(n=6)均小于5.0%。 展开更多
关键词 单层二硫化钨 羧基化多壁碳纳米管 对硝基苯胺 循环伏安法
下载PDF
基于微腔效应增强单层二硫化钨光吸收
4
作者 罗国平 陈星源 +1 位作者 胡素梅 朱伟玲 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第9期1653-1659,共7页
提出基于金属薄膜-分布式布拉格反射器微腔效应增强单层二硫化钨光吸收的多层薄膜结构。运用光学传输矩阵理论研究了其输运特性,发现由于金属薄膜-分布式布拉格反射器的微腔效应,在间隔层和覆盖层之间形成电场强度极大值,有效促进入射... 提出基于金属薄膜-分布式布拉格反射器微腔效应增强单层二硫化钨光吸收的多层薄膜结构。运用光学传输矩阵理论研究了其输运特性,发现由于金属薄膜-分布式布拉格反射器的微腔效应,在间隔层和覆盖层之间形成电场强度极大值,有效促进入射光与单层二硫化钨的相互作用。综合优化金属层、间隔层和覆盖层厚度,单层二硫化钨在612 nm处的光吸收提高了38倍,达到78.42%。进一步探讨了光入射角、分布式布拉格反射器周期、间隔层折射率与单层二硫化钨光吸收的关系。研究结果表明,上述结构参数的变化可有效调控单层二硫化钨的吸收峰值。研究结果为制备高性能单层二硫化钨光电探测器等新型光电子器件提供了新思路。 展开更多
关键词 单层二硫化钨 薄膜 光吸收 微腔效应 光电探测器
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部