单层片式瓷介电容器电镀金工艺

介绍了单层片式瓷介电容器镀金设备的选择和挂具的设计要点。采用中性微氰镀金溶液电镀金,研究了Au^(+)质量浓度对电镀金允许电流密度范围的影响,以及脉冲参数对镀层表面粗糙度的影响。建议在实际生产中控制参数如下:Au^(+)质量浓度约7 g/L,平均电流密度0.3~0.4 A/dm^(2),频率2000 Hz,占空比20%。介绍了镀液的维护要点,以及镀金层的外观、结合力、厚度、键合强度等性能的要求和检测方法。

CCF片式塑封型交流瓷介电容器

多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温域宽(-55℃～+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。

多层片式瓷介电容器标准中几个问题的讨论

对制定、修定多层片式瓷介电容器有关标准过程中和使用过程中发现的一些问题，诸如：片式元件的尺寸、性能参数和性能试验等１０个问题进行讨论。

CCF型片式塑封交流瓷介电容器

用多层陶瓷电容器(MLCC)制作交流瓷介电容器相对困难,我们希望用制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式交流瓷介电容器以满足市场需要。开发了将陶瓷芯片夹在上下两连体扁平引线中间并焊接,再用模塑环氧树脂封装,然后分割并切开连体引线,将切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到仍是用单层被银瓷片制成的片式塑封交流瓷介电容器,该产品比ML-CC交流瓷介电容器的制造更容易,可靠性更高,且适用于表面贴装。

关于片式瓷介电容器检测分析

电子元器件在军用和民用的各个领域有着广泛的运用,其使用环境必然不尽相同,有时还存在很大差异,因此电子元器件的特性也会有所不同。本文以片式瓷介电容器对其在检测过程中所采用的国内外标准及一些常见失效作一整理分析。

CCH型片式高压陶瓷电容器

MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。

单层陶瓷介质基片烧结技术研究

单层片式瓷介电容器产业化对制备该系列产品所需的陶瓷介质基片提出了很高的质量要求,要求陶瓷介质基片（长度×宽度×厚度=（25~50）mm×（25~50）mm×（0.1~0.3）mm）厚度均匀（五点测试,偏差≤0.01 mm）、表面平整（翘曲度≤0.05 mm/25 mm）、表面光洁、无凹坑和无杂质等缺陷。通过采用＂垫片负重＂、＂生坯垒烧＂和＂生坯垒烧＋垫片负重＂烧结方式进行陶瓷介质基片的烧结试验,然后对不同烧结方式制备的介质基片表面质量进行分析和评价。结果表明：采用＂生片垒烧＋垫片负重＂烧结方式制备出尺寸为40 mm×40 mm×0.25 mm的介质基片,其厚度均匀（最大偏差为0.003 mm）、表面平整（翘曲度≤0.05 mm/25 mm）,陶瓷介质基片满足单层片式瓷介电容器后续工序对其表面质量的要求。

MLCC叠层空洞判别超声检测技术研究

通过对超声检测技术的原理进行分析,并将其与X射线检查和制样镜检技术分别进行对比,阐述了超声检测技术在检测片式多层瓷介电容器(MLCC)的裂纹、分层和空洞等内部缺陷方面的优势。对超声显微镜的扫描原理和扫描模式进行分析,确定了MLCC内部空洞缺陷超声检测的判定方法。并利用B扫描模式对MLCC的叠层空洞进行了判别和区分,对于提高MLCC超声检测技术检测结果的准确性具有指导意义。

熔盐法直接制备铌镁酸铅基MLCC用瓷粉

研究熔盐法制备铌镁酸铅基MLCC用瓷粉的工艺。制备出了 10 0 %钙钛矿相结构的铌镁酸铅基MLCC用瓷粉 ,煅烧温度只需 70 0℃ ,粉体活性较高 ,有利于采用低含量Pd的内浆或全银内浆 ,可降低MLCC生产成本。熔盐法制备的粉体颗粒均匀 ,形貌好 ,分散性好 ,团聚少。熔盐法生产工艺流程短 ,生产周期短 。

超声显微成像技术的应用与研究

通过对超声显微成像技术(AMI)检测原理的分析,阐述了AMI在检测片式多层瓷介电容器(ML-CC)裂纹、分层和空洞等内部缺陷方面的具体应用,其检测结果得到了破坏性物理分析(DPA)的验证。此外,还讨论了不同频率的超声波传感器对AMI检测结果的影响,对提高AMI检测结果的准确性具有指导意义。

高频高Q值MLCC的设计与制作

采用了四种电子材料和工艺分别制作高频高Q值片式多层陶瓷电容器(MLCC)。研究、对比了这四种电容器高频特性。结果表明:采用高钯高温烧结体系MLCC的Q值优于其它体系MLCC,但制造成本高,四种设计方案各有优劣。

超声波无损探伤技术在MLCC检测中的应用研究

多层片式瓷介电容器[简称：MLCC（欲了解更多？请见本期【科技“生词”解释】]结构简单，通常只包括介质与电极层的交替层以及引出端，其基本功能是贮存电荷。介质通常是钛酸盐和铌酸盐陶瓷。随着MLCC向小型化、高容量、高电压的不断发展，产品失效的问题，一直困扰着大量的厂家。MLCC本身价值不高，但是各种失效造成如：电动机不会启动、指示灯会变暗、制导系统的精度下降等等各种不可预期的后果，其损失却是巨大的。