双轴拉伸应变对二硫化钼单层能带结构的影响

研究了室温下双轴拉伸应变对2H型二硫化钼单层电子能带结构和声子谱的影响。研究结果表明,二硫化钼单层的电子能隙随应变强度的增加而线性递减,而声子谱与应变的依赖关系则较弱,意味着在所考虑的应变强度范围内,材料结构并没有被破坏,为进一步研究室温下双轴拉伸应变对受电子-声子散射影响的二硫化钼单层的载流子迁移率的影响奠定了良好的基础。结果完全是基于第一性原理计算得到,没有采用任何经验参数,因此计算结果对实验具有可靠的理论指导依据。