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晶界层介电陶瓷及其单层电容器 被引量:5
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作者 杨俊锋 冯毅龙 +1 位作者 赵海飞 程超 《材料研究与应用》 CAS 2008年第3期207-210,共4页
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(±4.7%~±22%),使用... 研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(±4.7%~±22%),使用温域宽(-55^+125℃)的单层片式晶界层电容器. 展开更多
关键词 SRTIO3 晶界 单层电容器
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单层片式瓷介电容器电镀金工艺
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作者 温占福 罗彦军 +1 位作者 聂开付 汤清 《电镀与涂饰》 CAS 北大核心 2023年第7期37-42,共6页
介绍了单层片式瓷介电容器镀金设备的选择和挂具的设计要点。采用中性微氰镀金溶液电镀金,研究了Au^(+)质量浓度对电镀金允许电流密度范围的影响,以及脉冲参数对镀层表面粗糙度的影响。建议在实际生产中控制参数如下:Au^(+)质量浓度约7 ... 介绍了单层片式瓷介电容器镀金设备的选择和挂具的设计要点。采用中性微氰镀金溶液电镀金,研究了Au^(+)质量浓度对电镀金允许电流密度范围的影响,以及脉冲参数对镀层表面粗糙度的影响。建议在实际生产中控制参数如下:Au^(+)质量浓度约7 g/L,平均电流密度0.3~0.4 A/dm^(2),频率2000 Hz,占空比20%。介绍了镀液的维护要点,以及镀金层的外观、结合力、厚度、键合强度等性能的要求和检测方法。 展开更多
关键词 片式瓷介电容器 电镀金 设备 工艺参数 性能检测
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用于微波电路的单层片式晶界层电容器 被引量:3
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作者 程超 蔡杨 +2 位作者 杨俊峰 冯毅龙 赵海飞 《微波学报》 CSCD 北大核心 2007年第B08期112-115,共4页
研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(≤±4.7%~≤±22%)... 研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(≤±4.7%~≤±22%),使用温域宽(-55℃~+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。 展开更多
关键词 片式电容器 晶界 介电系数 温度特性 系列产品
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单层陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法研究 被引量:2
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作者 陆亨 周锋 +2 位作者 刘新 宋子峰 祝忠勇 《电子工艺技术》 2014年第3期164-166,共3页
为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的... 为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的升温速率进行烧结,得到的基片平整度高,制得的单层陶瓷电容器电性能好。 展开更多
关键词 陶瓷电容器 陶瓷基片 烧制方法 平整 翘曲 升温速率展
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CCH型片式高压陶瓷电容器
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作者 章士瀛 王艳 +3 位作者 罗世勇 王守士 王振平 李言 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期10-11,13,共3页
MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线... MLCC制成小容量规格相对困难,且偶有破碎,可靠性差,用于制成圆片瓷介电容器的单层被银瓷片制成片式高压瓷介电容器以替代小容量的MLCC。开发设计了陶瓷芯片夹于上下两连体扁平引线中间并焊接后,再模塑环氧树脂封装,然后分割切开连体引线,使切开后的扁平引线平贴在外壳表面,得到了仍是用单层被银瓷片制成的片形高压瓷介电容器。该产品的小容量规格制造更容易,其可靠性高,适用于SMT。 展开更多
关键词 片式高压陶瓷电容器 带状连体引线 模塑封装 小容量规格
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CCF片式塑封型交流瓷介电容器
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作者 罗世勇 赵俊斌 章士瀛 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期17-19,共3页
多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(... 多层瓷介电容器(MLCC)制成交流瓷介电容器相对困难,利用用于制备圆片瓷介电容器的单层被银瓷片,开发设计了片式交流瓷介电容器以满足市场需要。将陶瓷芯片与带状连体引线焊接后,再模塑环氧树脂封装和切割成型,由单层被银瓷片制成了C型(内折弯)和Y型(外折弯)单层片式塑封型交流瓷介电容器。该产品制造相对容易,且可靠性高,适用于SMT。 展开更多
关键词 CCF 片式交流瓷介电容器 带状连体引线 塑封
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In Situ Synchrotron X-ray Diffraction Studies of Single-walled Carbon Nanotubes for Electric Double-layer Capacitors
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作者 Yukihiro Yoshida Masato Tsutsui +2 位作者 Ayar Al-zubaidi Yosuke Ishii Shinji Kawasaki 《Journal of Chemistry and Chemical Engineering》 2015年第8期509-513,共5页
In situ synchrotron X-ray diffraction experiments of SWCNT (single-walled carbon nanotube) electrode in alkali halide aqueous electrolyte at several applied potentials were performed, and the change in the diffracti... In situ synchrotron X-ray diffraction experiments of SWCNT (single-walled carbon nanotube) electrode in alkali halide aqueous electrolyte at several applied potentials were performed, and the change in the diffraction pattern of SWCNTs was observed. It was found that the position of the 100 diffraction peak does not change with applied potential while the peak intensity decreases with anion adsorption. It was concluded that the space inside the tube would be the important ion adsorption site for the well-gown SWCNT bundles. 展开更多
关键词 Carbon nanotubes synchrotron X-ray EDLC
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Electron-electron interactions in monolayer graphene quantum capacitors 被引量:1
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作者 Xiaolong Chen Lin Wang Wei Li Yang Wang Zefei Wu Mingwei Zhang Yu Han Yuheng He Ning Wang 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第8期619-626,共8页
We demonstrate the effects of electron-electron (e-e) interactions in monolayer graphene quantum capacitors. Ultrathin yttrium oxide showed excellent per-formance as the dielectric layer in top-gate device geometry.... We demonstrate the effects of electron-electron (e-e) interactions in monolayer graphene quantum capacitors. Ultrathin yttrium oxide showed excellent per-formance as the dielectric layer in top-gate device geometry. The structure and dielectric constant of the yttrium oxide layers have been carefully studied. The inverse compressibility retrieved from the quantum capacitance agreed fairly well with the theoretical predictions for the e--e interactions in monolayer graphene at different temperatures. We found that electron-hole puddles played a significant role in the low-density carrier region in graphene. By considering the temperature-dependent charge fluctuation, we established a model to explain the round-off effect originating from the e-e interactions in monolayer graphene near the Dirac point. 展开更多
关键词 GRAPHENE e-e interaction inverse compressibility quantum capacitance charge fluctuation electron-hole puddles
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