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n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件
被引量:
1
1
作者
谭海曙
邹开顺
+3 位作者
姚建铨
王小勇
王鹏
陈立春
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期567-570,共4页
成功制备了可溶性 n型聚合物 PPQ掺杂的可溶性 p型聚合物 PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯 PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5 V降低到 2 .6 V;在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯 PDDOPV的单层器件在同一个...
成功制备了可溶性 n型聚合物 PPQ掺杂的可溶性 p型聚合物 PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯 PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5 V降低到 2 .6 V;在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯 PDDOPV的单层器件在同一个数量级 ,但亮度和发光效率均高出 1个数量级以上。在 10 V时 ,掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是 1.95 ,30 .9和 16 .0。掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在 PDDOPV中掺杂 PPQ降低了少子的注入势垒 ,提高了少子注入水平。这一结果表明 ,在可溶性 p型聚合物中掺杂可溶性 n型聚合物是提高器件性能的有效方法。
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关键词
单层电致发光器件
电
致发光
聚合物
掺杂
单
层
器件
薄膜
PPQ
PDDOPV
原文传递
题名
n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件
被引量:
1
1
作者
谭海曙
邹开顺
姚建铨
王小勇
王鹏
陈立春
机构
佛山科技学院电子系
天津理工学院材料物理所
天津大学精仪学院光电子信息工程系
出处
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期567-570,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目 (6960 60 0 2 )
国家自然科学基金高技术探索主题资助项目 (699880 0 3 )
佛山科技学院博士启动基金资助项目
文摘
成功制备了可溶性 n型聚合物 PPQ掺杂的可溶性 p型聚合物 PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯 PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5 V降低到 2 .6 V;在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯 PDDOPV的单层器件在同一个数量级 ,但亮度和发光效率均高出 1个数量级以上。在 10 V时 ,掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是 1.95 ,30 .9和 16 .0。掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在 PDDOPV中掺杂 PPQ降低了少子的注入势垒 ,提高了少子注入水平。这一结果表明 ,在可溶性 p型聚合物中掺杂可溶性 n型聚合物是提高器件性能的有效方法。
关键词
单层电致发光器件
电
致发光
聚合物
掺杂
单
层
器件
薄膜
PPQ
PDDOPV
Keywords
Current voltage characteristics
Electroluminescence
Fabrication
Semiconductor doping
Thin films
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件
谭海曙
邹开顺
姚建铨
王小勇
王鹏
陈立春
《光电子.激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
原文传递
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