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n型聚合物掺杂p型聚合物单层电致发光器件 被引量:1
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作者 谭海曙 邹开顺 +3 位作者 姚建铨 王小勇 王鹏 陈立春 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期567-570,共4页
成功制备了可溶性 n型聚合物 PPQ掺杂的可溶性 p型聚合物 PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯 PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5 V降低到 2 .6 V;在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯 PDDOPV的单层器件在同一个... 成功制备了可溶性 n型聚合物 PPQ掺杂的可溶性 p型聚合物 PDDOPV的单层发光器件。与具有相同厚度的纯 PDDOPV的单层器件相比 ,起亮电压从 4 .5 V降低到 2 .6 V;在电压相同的条件下 ,掺杂的单层器件的电流和纯 PDDOPV的单层器件在同一个数量级 ,但亮度和发光效率均高出 1个数量级以上。在 10 V时 ,掺杂器件与未掺杂器件的电流、亮度和发光效率的比值分别是 1.95 ,30 .9和 16 .0。掺杂器件亮度和发光效率的大幅提高被归因于在 PDDOPV中掺杂 PPQ降低了少子的注入势垒 ,提高了少子注入水平。这一结果表明 ,在可溶性 p型聚合物中掺杂可溶性 n型聚合物是提高器件性能的有效方法。 展开更多
关键词 单层电致发光器件 致发光 聚合物 掺杂 器件 薄膜 PPQ PDDOPV
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