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CuSe表面修饰的第一性原理研究
1
作者
莫秋燕
张颂
+3 位作者
荆涛
张泓筠
李先绪
吴家隐
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期258-266,共9页
单层CuSe属于体相为非层状的二维材料,本质上具有金属性质,因此不适合在电子器件中应用.本文通过外部原子修饰的方法实现CuSe电子结构的改变,采用密度泛函理论的第一性原理研究了单层CuSe在顶位、中心和桥位添加第二周期原子后的能带结...
单层CuSe属于体相为非层状的二维材料,本质上具有金属性质,因此不适合在电子器件中应用.本文通过外部原子修饰的方法实现CuSe电子结构的改变,采用密度泛函理论的第一性原理研究了单层CuSe在顶位、中心和桥位添加第二周期原子后的能带结构,重点分析了单层CuSe添加Li和B原子的电子结构,包括能带结构、态密度、差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居分析.添加Li原子后,从能带结构的结果来看,三个位置都能实现CuSe由金属性转为半导体性,且Li原子更倾向修饰在CuSe的六角形中心,带隙约为1.77 eV;在Cu原子的顶部位置添加B原子也可以实现CuSe具有半导体性,带隙约为1.2 eV.通过差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居的结果来看,B原子用B-Se极性共价键结合在单层CuSe的顶部.第一原理揭示了从单层CuSe到Cu XSe(X=Li,B)的金属到半导体转变的实现,计算结果使CuSe在未来的电子设备中使用成为可能.
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关键词
单层cuse
第一性原理
电子结构
下载PDF
职称材料
题名
CuSe表面修饰的第一性原理研究
1
作者
莫秋燕
张颂
荆涛
张泓筠
李先绪
吴家隐
机构
凯里学院大数据工程学院
凯里学院理学院
中国电信股份有限公司研究院
广东邮电职业技术学院计算机学院
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023年第12期258-266,共9页
基金
凯里学院校级规划课题(批准号:2022ZD05)
黔东南州科技计划(批准号:[2022]08)资助的课题。
文摘
单层CuSe属于体相为非层状的二维材料,本质上具有金属性质,因此不适合在电子器件中应用.本文通过外部原子修饰的方法实现CuSe电子结构的改变,采用密度泛函理论的第一性原理研究了单层CuSe在顶位、中心和桥位添加第二周期原子后的能带结构,重点分析了单层CuSe添加Li和B原子的电子结构,包括能带结构、态密度、差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居分析.添加Li原子后,从能带结构的结果来看,三个位置都能实现CuSe由金属性转为半导体性,且Li原子更倾向修饰在CuSe的六角形中心,带隙约为1.77 eV;在Cu原子的顶部位置添加B原子也可以实现CuSe具有半导体性,带隙约为1.2 eV.通过差分电荷密度和晶体轨道哈密顿布居的结果来看,B原子用B-Se极性共价键结合在单层CuSe的顶部.第一原理揭示了从单层CuSe到Cu XSe(X=Li,B)的金属到半导体转变的实现,计算结果使CuSe在未来的电子设备中使用成为可能.
关键词
单层cuse
第一性原理
电子结构
Keywords
monolayer
cuse
first-principles calculations
electronic structure
分类号
O469 [理学—凝聚态物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CuSe表面修饰的第一性原理研究
莫秋燕
张颂
荆涛
张泓筠
李先绪
吴家隐
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
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职称材料
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