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空位缺陷掺杂单层MoTe2的研究 被引量：1
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作者 戴雄英 文雅婷 《湖南工程学院学报（自然科学版）》 2020年第1期43-46,共4页
采用基于密度泛函理论的电子结构计算软件包Atomistix Tool Kit(ATK),研究了缺陷掺杂的单层MoTe2,计算了五种单空位缺陷的原子结构和3%~12.5%浓度范围内的形成能,分析了空位浓度对单层MoTe2相变的影响.研究结果表明Te空位的形成能比Mo... 采用基于密度泛函理论的电子结构计算软件包Atomistix Tool Kit(ATK),研究了缺陷掺杂的单层MoTe2,计算了五种单空位缺陷的原子结构和3%~12.5%浓度范围内的形成能,分析了空位浓度对单层MoTe2相变的影响.研究结果表明Te空位的形成能比Mo空位的低,调节Te空位的浓度能实现单层MoTe2的1H和1T′相之间的相互转变. 展开更多
关键词 单层mote2 缺陷掺杂 空位浓度 相变 形成能
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