限制空间法制备大尺寸单层二硫化钨薄膜

采用一种限制空间的化学气相沉积方法,在整个SiO_2(300 nm)/Si衬底上制备出了大面积、大尺寸、高质量的单层WS_2薄膜,薄膜尺寸随生长时间可控,最大尺寸可达500μm。利用光镜、原子力显微镜(AFM)、荧光、拉曼以及XPS等手段对所得的单层WS_2样品进行了表征。结果表明:限制空间方法可以很好地对两种源粉的比例进行调控,制备的单层WS_2薄膜样品以三角形为主导,有着清洁的表面、均匀的荧光和拉曼强度分布,以及较高的单晶质量。限制空间化学气相沉积方法操作简单,可控性与可重复性高,可以为其他过渡金属硫属化合物单层薄膜材料的大面积、大尺寸、高质量生长提供借鉴。