一个新的高Q单放大器开关电容滤波器及其最佳设计

本文提出了一个新的高Q单放大器开关电容(SC)滤波器,给出了该电路最大与最小电容比最小的最优设计。同已有文献相比,本文电路的最大与最小电容比已得到大幅度地减小。

高频小信号单调谐放大器的分析与仿真

通过Multisim10.1软件对高频小信号单调谐放大器的仿真分析,观察到了发射极电阻的变化对单调谐回路频率特性的影响。利用实例证明:将Multisim10.1引入高频电路实验教学后,该软件能及时帮助学生理解课程内容、提高学生分析问题和解决问题的能力,Multisim10.1软件在"高频电子线路"课程教学改革中起着越来越重要的作用。

300GHz InP DHBT单片集成放大器

太赫兹技术在成像雷达以及宽带通信等领域具有广阔应用前景。太赫兹功率放大器是太赫兹系统的核心单元。磷化铟双异质结双极型晶体管（InP DHBT）具有非常高的截止频率以及较高的击穿电压（相对Si／SiGe而言），适合于太赫兹功率放大器的研制，例如美国Teledyne公司利用InP DHBT工艺研制T220GHz200mW的功率MMIC。

S波段大功率GaAs PHEMT单片放大器

GaAs单片集成电路具有体积小、质量轻和可靠性高等特性,已经成为微波领域重要的器件。采用MBE技术生长出双面掺杂AlGaAs/InGaAs PHEMT结构的外延材料,研制了高效率的GaAs PHEMT器件,S波段功率附加效率大于55%。建立了基于EEHEMT的大信号模型,利用ADS软件搭建了有耗匹配的二级放大电路拓扑结构,进行最佳效率匹配,得到优化电路。采用4英寸（1英寸=2.54cm）GaAs0.35μm标准工艺研制了AlGaAs/InGaAs/GaAsPHEMT MMIC电路,测试结果表明,在测试频率为2.2~3.4GHz,测试电压VDS为10V时,输出功率大于12W,功率增益大于22dB,功率附加效率大于40%。

X波段功率单片放大器的研制

介绍了X波段功率单片放大器的设计、制造、测试等技术,以及器件的大信号模型的建立。X波段功率单片放大器采用两级放大,经过功率分配和功率合成,输入输出匹配为50Ω,单片性能达到输出功率≥5W,附加效率≥33%,功率增益≥13.5dB,增益波动≤0.3dB,输入驻波比≤2?1。

S波段单片低噪声放大器

S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5～ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。

UHF/SHF单片低噪声放大器的设计

利用源极负反馈和共轭匹配的方法,设计出一种特高频及超高频（UHF/SHF）单片低噪声放大器,工作频带在2.65~3.45GHz范围内,噪声系数小于1.5dB,增益大于25dB,带内平坦度为±0.5dB、电压驻波比小于1.5.结果表明该低噪声放大器性能好、成本低、体积小、成品率高,能够满足现代通信技术的要求.

Ku波段GaAs单片功率放大器

基于GaAs PHEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了两款Ku波段GaAs单片功率放大器。简述了GaAs PHEMT器件的工作原理,并抽取了精准的EEHEMT模型,通过独特的设计方法并结合相应的仿真软件设计了两款Ku波段单片功率放大器。经过精准测试,两款电路呈现的性能如下:在13～14GHz频带内,其中第一款电路的饱和输出功率Po>38dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>20dB,典型功率附加效率PAE>28%;第二款电路的饱和输出功率Po>40dBm(脉宽100μs,占空比10%),功率增益GP>19dB,典型功率附加效率PAE>28%。结果表明,基于PHEMT的GaAs单片功率放大器在Ku波段可以实现优良的性能。

基于Pspice单调谐放大器的分析与设计

在进行谐振放大器的质量指示分析和电路设计参数的选择的教学过程中,学生普遍反映较难,为了激发学生的学习兴趣和提高教学质量,在教学中引入了Pspice仿真软件。一方面对单调谐放大器的增益、通频带、选择性以及相互关系进行了仿真分析;另一方面给出放大器的设计指标,采用参数扫描与Optimezer Parameters优化模块相结合的方式,对电路进行了优化设计,设计结果表明在误差范围内完全满足指标要求,这为以后的理论教学和实验教学提供了一种新的方法和途径。

4 W GaAs X/Ku波段单片功率放大器

采用GaAs离子注入工艺，研制了GaAsX／Ku波段单片功率放大器。放大器末级栅宽76mm，频率9—13GHz，增益大于9．5dB，输出功率3W（f＝11GHz时达4W），效率≥22％（11GHz时达30％）。

一种增益可调CMOS恒带宽单片放大器

基于电流跟随器和负反馈原理，并结合电流镜像与虚地技术，得到了一种具有不依赖于闭环电压增益的１２０ｋＨｚ～８ＭＨｚ恒定带宽，增益０～６０ｄＢ可调，最高稳定工作频率５ＭＨｚ，功耗５．２ｍＷ的高性能ＣＭＯＳ放大器，其ＳＰＩＣＥ模拟表明，该放大器电气性能优越，模拟结果与理论分析比较吻合；可采用３～５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺技术单片化集成实现，并可望用于宽带视频放大等模拟信号处理领域。

基于JC-5600ATE的单/双电源运算放大器测试方法

集成运算放大器具有成本低、功能多等优点,可广泛用于自动控制系统、测量仪表等其他电子设备中。近年来集成运放的指标在不断提高,性能也在不断提升,伴随着运算放大器的发展,对用来考核运算放大器指标的测试技术也提出了相应的要求,对测试系统(Automatic Testing Equipment,以下简称ATE)的性能要求也相应变高。阐述了单、双电源集成运算放大器在JC-5600ATE上的测试方法,并分析了两者的测试差异。

单调谐放大器的S平面相量图解分析

本文应用复频域相量图解的方法,比较系统地分析了单调谐放大器的频率响应。

高频小信号单调谐放大器实验设计

研究了高频小信号单调谐放大器实验,采用扫频法和点测法分别测量幅频特性曲线,观察了集电极负载对幅频特性的影响,计算了放大倍数并观察其动态范围,在实验中测试各组数据,验证并巩固了调谐放大器电压增益、通频带、选择性等相关知识和计算方法。为进一步掌握高频小信号调谐放大器的工作原理奠定了基础。

毫米波单片平衡放大器

研制了一款毫米波(26～40 GHz)平衡式单片放大器芯片。放大器基于0. 15μm GaAs pHEMT工艺,实现了毫米波全频段(26～40 GHz)增益放大。采用Lange桥平衡结构,使放大器较于单边放大器有更好的输入输出驻波比,更大的1 dB增益压缩输出功率。设计时结合pHEM T晶体管小信号和大信号模型,采用自偏和RLC并联负反馈结构,在减小芯片面积的同时提高了电路的稳定性。放大器芯片尺寸仅1. 6 mm×1. 6 mm,在工作频率26～40 GHz内,测试结果表明:输入、输出驻波比小于1. 5,增益在11 dB附近,平坦度在±0. 5 dB,1 dB增益压缩输出功率大于11 dBm。测试结果验证了设计的正确性。

基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器

报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。

ERA系列单片放大器及其应用

ＥＲＡ系列单片集成放大器采用异质结双极晶体管工艺制作，在ＤＣ～１０ＧＨｚ的宽带频率范围内，具有信号增益高、增益平坦度好、输出功率和动态范围大、三阶互调小、噪声系数较小的特点。本文主要介绍其内部电路结构、特点及有关应用。

集成放大器在单电源条件下工作特性研究

本文研究了集成放大器在单电源工作条件使用中经常出现的问题以及解决办法，并且用实际电路说明这些办法是行之有效的。研究表明，集成放大器在单电源条件下工作，也可以实现在双电源工作条件下的特性，为电路设计提供了一条新的途径。