三维花状WO_(3-x)高效光电催化剂

采用简便的溶剂热法成功制备出WO_(3)/WO_(2.83)高效光电催化剂(WO3),对其进行光电催化测试,结果表明,所制备的WO3纳米光电催化剂表现出较高的电催化活性,在电流密度达到10mA·cm^(-2)时,所需起始电压仅为-0.52V(vsHER)。而在加光后,纳米材料WO_(3-x)的催化性能得到了进一步提升,其起始电位从-0.52V(vsHER)降低到了-0.45V(vsHER),Re值由200.3Ω减小到了120.7Ω。值得一提的是,本文所制备的WO_(3-x)在放置90天后仍具有较高的电催化活性,表明其具有良好的长期稳定性。

锡掺杂溴铅铯钙钛矿纳米晶的合成、结构及发光性能

为了降低CsPbBr_(3)钙钛矿纳米晶的Pb^(2+)毒性,同时优化Sn^(2+)掺杂CsPbBr_(3)纳米晶的发光性能,采用热注入法合成了Sn^(2+)掺杂的CsPb_(1-x)Sn_(x)Br_(3)纳米晶(x=0.1、0.2、0.3、0.4和0.5),使用X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱(XPS)和荧光光谱仪(PL)对所合成纳米晶的物相结构、微观形貌及发光性能进行表征。结果表明,纳米晶中掺杂的Sn元素以Sn^(2+)和Sn^(4+)形式存在,且含有Pb^(2+)阳离子空位,当x=0.3时,Sn元素实际掺杂物质的量分数高达43.91%。x=0.1~0.4时,纳米晶为纯单斜相钙钛矿结构,尺寸约16~20 nm,立方块形貌较均匀。Sn^(2+)掺杂调控了CsPb_(1-x)Sn_(x)Br_(3)纳米晶的光谱性能,当x=0.3时,CsPb_(0.7)Sn_(0.3)Br_(3)纳米晶荧光发射峰位于523 nm,半峰宽最窄达15nm,荧光寿命长达86.3ns,荧光强度最强,是一种具有应用潜力的绿光半导体材料。