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氧化钨纳米阵列的制备与紫外光电探测研究
被引量:
2
1
作者
宋周周
张瑶
+1 位作者
张唐磊
张翔晖
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期62-66,共5页
采用真空热蒸发法在硅片上实现了大面积、形貌均匀氧化钨纳米阵列的合成。X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)结果均表明,所合成的氧化钨为单斜结构的W18O49,纳米线的生长方向为(010)晶向。利用介电泳技术,在叉指电极上实现了氧化钨...
采用真空热蒸发法在硅片上实现了大面积、形貌均匀氧化钨纳米阵列的合成。X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)结果均表明,所合成的氧化钨为单斜结构的W18O49,纳米线的生长方向为(010)晶向。利用介电泳技术,在叉指电极上实现了氧化钨纳米线的准定向排列和电极接触。研究了氧化钨纳米线的紫外光探测性能,发现其对365 nm的紫外光具有良好的响应能力。在1 V偏压下,氧化钨纳米线的紫外光响应度为6.67 A/W,响应时间和恢复时间分别为0.17 s和0.15 s。研究结果表明,氧化钨纳米线在高性能光电探测器应用中展示良好前景。
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关键词
氧化钨
单斜w18o49
纳米阵列
真空热蒸发
介电泳
紫外光探测
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职称材料
题名
氧化钨纳米阵列的制备与紫外光电探测研究
被引量:
2
1
作者
宋周周
张瑶
张唐磊
张翔晖
机构
湖北大学铁电压电材料与器件湖北省重点实验室物理与电子科学学院
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第4期62-66,共5页
基金
国家自然科学基金(10504098)
文摘
采用真空热蒸发法在硅片上实现了大面积、形貌均匀氧化钨纳米阵列的合成。X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)结果均表明,所合成的氧化钨为单斜结构的W18O49,纳米线的生长方向为(010)晶向。利用介电泳技术,在叉指电极上实现了氧化钨纳米线的准定向排列和电极接触。研究了氧化钨纳米线的紫外光探测性能,发现其对365 nm的紫外光具有良好的响应能力。在1 V偏压下,氧化钨纳米线的紫外光响应度为6.67 A/W,响应时间和恢复时间分别为0.17 s和0.15 s。研究结果表明,氧化钨纳米线在高性能光电探测器应用中展示良好前景。
关键词
氧化钨
单斜w18o49
纳米阵列
真空热蒸发
介电泳
紫外光探测
Keywords
tungsten
o
xide
m
o
n
o
clinic
w
18
o
49
nan
o
w
ire arrays
high temperature physical evap
o
rati
o
n dep
o
siti
o
n
dielectr
o
ph
o
resis
UV ph
o
t
o
detecti
o
n
分类号
TN361 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
氧化钨纳米阵列的制备与紫外光电探测研究
宋周周
张瑶
张唐磊
张翔晖
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2018
2
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职称材料
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