铝－锂单晶体的形变硬化行为

研究不同时效状态的二元Ａｌ－Ｌｉ单晶体不同温度的变形行为，结果表明：固溶态和欠时效态在温度不超过２９３Ｋ的反常流变行为，是由Ｌｉ原子的动态应变时效作用引起的；而温度高于２９３Ｋ，Ｋ－Ｗ锁等决定了欠时效态的形变硬化行为；过时效态的临界分切应力及形变硬化率，随温度的变化可能与Ｏｒｏｗａｎ机制和Ａｌ３Ｌｉ粒子被位错环切割有关。

在线性壳聚糖膜内原位还原制备银纳米粒子及银单晶体

采用光还原方法,在线性壳聚糖膜内原位还原获得球形银粒子(粒径10～30nm)和外观呈三角形、六边形的银单晶体(边长200～2000nm);采用电化学方法,在壳聚糖膜内制备了球形银纳米粒子,粒径为5～8nm.用透射电子显微镜(TEM)、扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(IR)和X射线衍射(XRD)等测试技术对壳聚糖/银复合物进行了表征,对光还原过程中银晶体结构由多晶到单晶的转变原因进行了初步的分析和探讨.

水热条件下针状羟基磷灰石单晶体的均相合成

用水热法制备出结晶度高、纯净均一的针状羟基磷灰石单晶体。从X 射线衍射谱、红外吸收光谱、透射电镜分析等方面确认了所得晶体为羟基磷灰石单晶体。根据透射电子衍射谱测量计算出的晶面间距d值与羟基磷灰石卡片的d值非常接近 ,由标定的晶面指数计算出的晶面夹角与实际测量值有很好的吻合 。

CdSe单晶体的生长及其特性研究

本文报道了用改进的垂直气相法 (多级提纯垂直气相法 )生长富Cd的CdSe单晶体 ,并对晶体的性能进行了观测 ,其电阻率为 10 7Ωcm量级 ,电子陷阱浓度为 10 8cm- 3量级 ,第一次报道了 (110 )面的腐蚀形貌。结果表明 :采用这种方法制备CdSe单晶 ,设备简单 ,易于操作 ,在提纯和生长过程中不需要转移原料 ,有利于减少晶体中的杂质含量 ,降低位错密度 ,改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。

碘化铅(PbI_2)单晶体的生长研究

本文以高纯Pb、I2 单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2 多晶原料,避免了安瓿的爆炸。以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为15mm×30mm的PbI2 单晶锭。该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为 1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了 (001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作。

生长气氛和速度在金红石(TiO_2)单晶体生长中的作用研究(英文)

本文研究了生长气氛和生长速度在焰熔法金红石单晶体生长中的作用 ,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果 ,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率。研究表明 :金红石单晶体的生长受炉膛气氛、生长界面温度和生长速度的影响 ;炉膛气氛决定晶体能否形成 ,是关键因素 ;炉膛气氛中的氧分压大于液固界面 (即生长界面 )处熔体的氧离解压是生长完整晶体的前提条件 ;晶体在退火过程中消除热应力 ,但更重要的是通过氧化反应消除氧空位 ,在氧气氛中退火 ,可明显缩短退火时间。在所优化的实验条件下制备的晶体 ,完整性较好 ,透过率为 70～ 72 % ,与商用晶体的透过率基本一致。

大尺寸金红石(TiO_2)单晶体生长条件的实验研究

采用高纯(99.995%)、超细的金红石(TiO2)粉末为起始原料,用燃熔法制备了尺寸为30mm×50mm的金红石(TiO2)单晶体。讨论了生长气氛、生长速度、温度梯度在晶体生长中的作用,对比了晶体在空气中与在氧气中退火的结果,测定了晶体试样的摇摆曲线和透过率,并与商用晶体的透过率进行了比较。实验表明:生长气氛中的氧分压大于液固界面(即生长界面)处熔体的氧离解压是生长完整晶体的必要条件;在此条件下,能否生长为大尺寸晶体则取决于炉膛的轴向温度梯度;晶体在退火过程中可消除热应力,但退火更重要的作用是通过氧化反应消除氧空位,在氧气氛中退火,可明显缩短退火时间;所制备的晶体完整性较好,透过率与商用晶体基本一致。

碲锌镉单晶体的(110)面蚀坑形貌观察

本文报道了一种能够在室温下择优腐蚀碲锌镉(CZT)单晶体(110)晶面的腐蚀液配方,并对富Cd生长的CZT晶体蚀坑形貌进行了扫描电镜观察。结果表明晶体(110)面腐蚀坑形状为三角形,并初步对蚀坑的成因进行了分析,估算出CZT(110)面蚀坑密度约为103～105/cm2数量级。这说明富Cd原料的改进布里奇曼法可以生长出低蚀坑密度的CZT单晶体。

单晶体塑性滑移有限变形下的应力计算

为了探讨和发展单晶金属材料的非弹性有限变形分析方法,提出一种单晶体各向异性弹塑性分析的计算格式.该方法是一种以初始构形为变形计算参考构形的描述方法,它对单晶体塑性构形的演化用增量计算以跟随加载路径,而在应力计算时在卸载构形的基础上用Hencky对数弹性应变来计算总量的应力以保证计算的稳定和收敛;通过求解满足瞬时屈服条件和应力与弹性应变关系的广义胡克定律的非线性方程组来搜索激活滑移系.

LaB_6单晶体制备方法的特点和进展

综述了 LaB_6单晶体的国内外研究现状及进展。分别对铝熔剂法、气相沉积法、熔盐电解法、区域熔化法等几种主要的 LaB_6单晶体制备方法的特点进行了简要的总结和分析。在4种主要的制备方法中,区域熔化法生产效率高,适于制备大尺寸 LaB_6单晶阴极,且制备的 LaB_6单晶体纯度高、质量高。

低逸出功Ce_(1-x)Gd_xB_6单晶体的制备及其热发射性能

以三元稀土硼化物Ce_(1-x)Gd_xB_6为研究对象,系统研究Gd掺杂对Ce B_6阴极材料热发射性能的影响规律。采用放电等离子烧结结合光学区域熔炼法成功制备了高质量的Ce_(1-x)Gd_xB_6(x=0~0.3)单晶体。借助360度Phi扫描单晶衍射仪对生长后的单晶进行了测试,结果显示单晶质量良好。采用劳埃定向仪确定出(100)晶面,并测试了该晶面在1673 K、1773 K、1873 K下的热电子发射电流密度。测试结果表明,Ce_(0.9)Gd_(0.1)B_6成分单晶体具有最优异的热发射性能,在1873 K工作温度下,4000 V电压条件下发射电流密度达到82.3 A/cm^2,零场电流发射密度为24.70 A/cm^2,平均有效逸出功为2.30 e V,与相同条件下Ce B_6单晶体热发射性能(热发射电流密度为78.2 A/cm^2,零场电流发射密度为13.32 A/cm^2)相比,其具有更大的发射电流密度和更低的逸出功。因此,采用该制备技术获得的Ce_(1-x)Gd_xB_6单晶体具有良好的发射性能,作为热阴极材料将会有更好的应用前景。

KMgF_3∶Eu和KMgF_3∶Eu-Ce单晶体中Eu^(2+)与Ce^(3+)的格位取代和能量传递

在 77K测定了两个晶体的高分辨发射光谱 ,讨论了单掺杂 Eu2 + 和双掺杂 Eu2 + 及 Ce3+ 的 KMg F3中的格位取代问题 .在 KMg F3∶ Eu-Ce中观察到了 Eu2 + 的 6P5/ 2 能级到 Ce3+ 的 4 f 5 d能级间的间接能量传递 。

采用延时修正法实施QUICK格式模拟提拉单晶体的生长

为了数值模拟提拉(又名Czochralski)法获得单晶体的生长过程,本文采用有限容积法离散控制方程,采用非均匀的交错网格避免不合理的振荡压力场,采用三阶精度QUICK(Quadratic Upwind Interpolation of Convective Kinematics)格式离散对流项,采用延时修正来实施QUICK格式获得满足主对角占优的代数方程组,采用SIMPLE(Semi-implicit Method for Pressure Linked Equations)算法耦合压力和速度场,给出了基于上述方法的方程、算法,并发展了程序,计算了Wheeler标准问题,计算结果与文献相当一致,同时本算法能模拟计算高葛拉晓夫数时的流动,显示出非均匀网格QUICK格式模拟晶体生长的优越性;另外本文将这一算法运用到单晶硅的数值模拟中,计算结果令人满意。

悬浮区域熔炼法制备Ce_(1-x)Pr_xB_6单晶体及其热发射性能研究

以CeB6和PrB6粉末为原料,采用放电等离子烧结结合悬浮区域熔炼法成功制备了晶体质量良好的多元稀土六硼化物Ce1-xPrxB6（x=0.1、0.2、0.4）单晶体,并系统研究了该系列单晶体（100）晶面热电子发射性能。结果表明：Ce0.8Pr0.2B6单晶（100）晶面具有最好的热发射性能,在1873 K,最大电流发射密度达到66.07 A/cm^2,比CeB6单晶的电流发射密度提高约20%。此外,Ce0.9Pr0.1B6、Ce0.6Pr0.4B6单晶（100）晶面的热发射电流密度分别为65.81 A/cm^2和65.31 A/cm^2。Ce0.8Pr0.2B6单晶（100）晶面的逸出功最低,为2.61 eV,其它单晶（100）晶面的逸出功在2.64～2.753 eV范围内。因此,Ce1-xPrxB6多元稀土六硼化物单晶具有良好的发射性能和低的逸出功,作为热阴极材料有很好的应用前景。

金红石(TiO_2)单晶体生长及制备条件的研究

以TiO2超微粉为原料，采用焰溶法制备了金红石单晶体，并在不同的退火温度下，对晶体进行了氧化退火研究，利用紫外-可见分光光度计、红外谱仪等分析测试手段对晶体的光吸收性质进行了测试，此外，本文对微粉性状、生长气氛等对晶体生长的影响进行了探讨。

焰熔法生长金红石单晶体生长室内温度分布的数值模拟

以氢气和氧气的燃烧为基础,研究了焰熔法生长金红石单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H_2和O_2流量对温度分布的影响。结果表明:中心轴向温度随喷嘴距离的增加而升高,在距喷嘴92 mm处达到最高温度3290.3 K后开始下降;晶体熔帽径向温度随直径的增加逐渐减小,熔帽边缘温度则急剧升高;随着H_2流量增加,生长室内中心轴向和径向温度逐渐增大,H_2流量增加2 L/min,中心最高温度平均升高130℃,最高温度的位置向下移3.1mm,晶体熔帽表面温度平均升高70℃;增加内O_2和外O_2流量均导致生长室内中心轴向和径向温度降低,而使晶体熔帽上的压力升高,外O_2对温度的影响较大,而内O_2对晶体熔帽压力的影响较大。

Al—Li单晶体中锯齿流变行为的影响因素

Al－Li单晶体中锯齿流变的产生与δ'，粒子被切割的过程有关锯齿产生的临界应变随温度。

Al－Li单晶体锯齿流变的形态特征

研究了Ａｌ－Ｌｉ单晶体在不同温度和应变速率范围内产生的锯齿流变及其形态特征．开始产生锯齿流变的临界应变随着温度的升高（或应变速率的降低）先减小再增加．锯齿频率和应力变化幅度受温度和应变速率的影响，但不随应变单调变化．

焰熔法生长钛酸锶单晶体生长室内温度分布的数值模拟

通过研究焰熔法生长钛酸锶单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H_2和O_2流量、喷嘴孔径对温度分布的影响。结果表明,采用焰熔法生长SrTiO_3晶体时,晶体熔帽表面温度和压力由中心逐渐向外降低;随着H_2流量的增加,中心轴向的最高温度的位置基本不变,晶体熔帽温度和晶体四周的最高温度逐渐升高,只是升高幅度有所减小;晶体熔帽温度、压力及晶体周围烟气温度随O_2流量增大而升高,而轴向最高温度则降低;增加喷嘴的中心孔径将使轴向最高温度、晶体熔帽温度和径向温度梯度降低,而喷嘴的H_2孔径对生长室内轴向和径向温度分布的影响不是很明显。

高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响

对含驻留滑移带（ＰＳＢ）的 ［１２３］取向的疲劳 Ｃｕ单晶体，进行了高密度脉冲电流处理结果表明，高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了ＰＳＢ－基体界面的应力集中状态，使驻留滑移带局部消失理论计算同时表明，高密度脉冲电流处理能提高 Ｃｕ单晶疲劳寿命．