全自动单晶圆铝腐蚀清洗机工艺原理与工作过程介绍

介绍了几种常用的晶圆金属铝膜腐蚀工艺,并详细讲解了全自动单晶圆铝腐蚀清洗机采用第四种工艺配方进行金属铝膜腐蚀清洗的工艺过程。同时,简单介绍了为提高腐蚀清洗效果而设计的两套子系统的工作原理。

硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型

为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡态;这两个演变规律符合实际且产生机理清晰,证实了该模型的合理性及其使用价值.

单晶圆兆声清洗技术研究及兆声喷头方案优化

基于单晶圆兆声清洗的原理,分析了针对单晶圆兆声清洗的多种方案的优缺点,提出了适合单晶圆兆声清洗的优化方案。

单晶圆清洗技术的研究

分析以往批处理清洗技术面临的问题及现代清洗技术的关键要求,介绍了采用臭氧的单晶圆清洗工艺,提出了臭氧清洗需要解决的问题。

单晶圆清洗技术

由于器件工艺技术的飞速发展和图形关键尺寸的不断缩小,以及新材料的引入,使得前道工艺(FEOL)和后道工艺(BEOL)中表面处理显得更为重要,从而对晶圆的传统表面清洗技术提出了新的挑战。介绍了单晶圆清洗技术的发展现状和几家设备公司的市场应用动向。

Φ6.5mm×8.9mm半导体锗单晶圆片电阻率的测定

利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序。

单晶圆湿式制程的先驱——SEZ公司

随着器件特征尺寸的不断缩小以及诸如铜和低介电常数绝缘体等新材料的应用，使得半导体芯片的功能更为强大，也使得产业面临着严峻的制造工艺挑战，对功能更为强大的芯片的需求也催生了芯片制造商对新型工艺解决方案的需求。日前。

SEZ:单晶圆湿式制程是未来半导体技术发展的趋势

随着器件尺寸的不断缩小以及诸如铜和低介电常数绝缘体等新材料的应用,半导体芯片的功能越来越强,但同时也使得产业面临着严峻的制造工艺挑战,对功能更强的芯片的需求也催生了芯片制造商对新型工艺解决方案的需求。单晶圆湿式处理解决方案便是这些新型工艺其中之一。为了让读者更加了解单晶圆湿式制程,记者专门采访了SEZ集团亚太区首席运营官Herwig Petschnig先生和中国区总经理Hai Benron先生,以下是访谈内容。

SEZ公司新推出单晶圆湿法处理技术3（采访2）

semiconC hina期间，单晶圆湿式处理解决方案的领导厂商SEZ也向半导体行业带来了新的产品，SEZ亚太区技术与行销副总裁陈溪新先生介绍，SEZ公司新推出的平台——Esanti TM是一套灵活的、具备多反应仓的单晶圆处理平台，专为满足未来技术节点前段工艺过程（FEOL）清洗需求而设计的，能够完成45nm及其更低尺寸器件制造过程中FEOL（前段工艺过程）严苛的清洗和光刻胶剥离。

单晶圆注入机注入角度测量与补偿系统设计

在超大规模集成电路生产线宽45 nm及以下的注入工艺环节中,离子束注入晶圆角度精度控制变得愈显重要,注入角度的细小差别引起掺杂元素在晶体管中的分布深度和范围的变化,进而导致器件参数和性能的巨大变化。研究表明注入角度控制取决于对注入离子束与晶圆面法线间水平和竖直方向角度测算的精确度;系统能精确测量出离子束注入角度,然后通过补偿驱动旋转靶台到相应需求的角度后注入,满足工艺需求。

单晶圆擦洗技术及优化方案的研究

本文基于单晶圆擦洗的原理,分析了单晶圆擦洗常见的两种方案的缺点,提出了适合单晶圆擦洗的优化方案。

FSI收到重要半导体制造商对其ORION单晶圆清洗技术的后续订单

2009年1月，全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司，日前宣布收到来自重要半导体制造商的后续订单，购买其新推出的ORION单晶圆清洗技术平台。该项后续订单将为2008年12月23日发布的订单的机台提供扩充的晶圆清洗量能和性能。这一追加定购乃缘于已安装的ORION机台杰出表现所带来的鼓舞。ORION系统将被应用于后段（BEOL）铜／低k导线制作。

DA VINCITM系统平台推动SEZ的单晶圆商业模式

SEz(瑟思)集团近日在德国慕尼黑的SEMICON EUROPE宣布，于2003年中期引入市场的．应用于后段工艺过程(BEOL)的DaVinciTM平台销售已超过公司整体收入的50%。该系列平台是SEZ有史以来最快被市场接受的，同时也是业界最快被引进产品之一。预计将来的销售速度会更快，预计到2005年底，’DaVinci系统的销售将占SEZ公司全部收入近60％的份额。

单晶圆湿法清洗工艺中铝金属腐蚀问题研究

在集成电路制造中,湿法清洗工艺中铝金属腐蚀是一种致命缺陷,它的出现将引发产品的可靠性问题。通过控制清洗过程中的工艺参数,增加起侧壁保护作用的铝金属氧化层的厚度,从而抑制铝金属腐蚀缺陷的产生。随着清洗溶液温度的降低,晶圆清洗后6 h铝金属腐蚀缺陷数量明显减少;随着H_(2)SO_(4)标称质量分数由80%增加到105%,铝金属腐蚀缺陷数量减少;而H_(2)SO_(4)标称质量分数继续增加到115%时,铝金属腐蚀缺陷数量却增加。清洗溶液温度和H_(2)SO_(4)质量分数实验结果表明,更低的温度以及一定范围内的高H_(2)SO_(4)质量分数有利于促进铝金属氧化层的生成,强化侧壁保护,从而达到抑制铝金属腐蚀缺陷发生的目的。

FSI国际ORION单晶圆清洗系统获得重要半导体制造商订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题，其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层），这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。

FSI国际ORION~单晶圆清洗系统获得重要半导体制造商订单

全球领先的半导体制造晶圆处理、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司，日前宣布一家重要半导体制造商订购了该公司的新ORION单晶圆清洗平台。这项订单表明了该客户对2008年5月FSI发运的、用于后段（BEOL）32nm开发项目的评估机台的认可。该系统特有的闭室设计可解决多个关键步骤清洗问题，其中包括控制铜导线中的材料损失和电偶腐蚀（带有和不带金属包覆层），这确保了IC制造商去实现无缺陷下一代铜导线架构。

SEZ隆重推出单晶圆FEOL光阻去除的创新解决方案

SEZ集团在Semicon West上宣布开发出新型化学制程，将极大地改善前段制程（FEOL）中的光阻去除制程。SEZ的专有技术Enhanced Sulfuric Acid（ESA）去除制程能够利用一系列以硫酸为主的化学试剂，极大地缩减了目前在光阻去除机或者批式环境中实施的光阻去除制程的步骤：光阻重修、蚀刻植入后和光阻去除以及在等离子光阻去除制程之后的残留物去除等。

FSI国际在上海宣布推出ORION~单晶圆清洗系统

全球领先的半导体制造晶圆工艺、清洗和表面处理设备供应商FSI国际有限公司，近日在其再次于上海举办的“FSI知识服务系列研讨会”上，宣布推出全新的ORION。单晶圆清洗系统。该系统特有的闭室设计可实现对晶圆环境的完全控制和维护，满足32nm；