低饱和磁化强度旋磁In-BiCaVIG单晶小球制备

采用助熔剂法以Bi2O3、PbO为助溶剂结合加速坩埚转动技术生长了4πMs为400 G、250 G、200 G的三种石榴石型In-BiCaVIG单晶,不同配方的单晶材料均能生长出线度在10 mm以上且包杂极少的单晶颗粒。采用“V”型槽研磨技术对系列单晶小球进行了磨抛加工处理,三种型号小球的球形度在1.0041~1.0048之间,略优于同尺寸的进口小球(球形度为1.0056)。对制备的三种小球进行了器件试用,结果表明,三种型号的单晶小球性能良好,能够满足相应滤波器的应用要求。XD4C型单晶小球的批量合格率接近84%,且批量性能一致性与进口小球相近;而XD2.5C和XD2C两种型号单晶小球的合格率则不到76%,还有待进一步提高。