砷化镓单晶中微晶和非晶的形成机制

利用高分辨电子显微镜对 ０.００４９ Ｎ和 ０.０４９ Ｎ载荷 Ｖｉｃｋｅｒｓ压痕诱发砷化镓单晶的相转变进行了观察和研究，结果表明．在大小压痕作用下分别发生了单晶向非晶和微晶的转变， 微晶的结构由小于 １０ｎｍ、取向各异的纳米晶和非晶组成， 在完全非晶化的结构中存在少量由几个原子组成的原子簇：在非晶与晶体的交界区能观察到许多晶体缺陷以及沿这些缺陷产生的晶格扭曲和非晶相岛， 对这种非晶化现象提出了两种可能的诱发机制：高压力诱导非晶化和剪切诱导非晶化。

金刚石线锯切割对砷化镓切片表面质量的影响

采用金刚石线锯对直径65 mm的单晶砷化镓棒材进行切割实验,锯丝线速度分别为0.8,2.5 m.s-1,进给速度分别为0.6,1.5,2.5 mm.min-1.应用原子力显微镜(atomic force microscopy,AFM)测量切割后砷化镓切片的表面粗糙度,根据脆塑转变中的滑移理论分析了金刚石线锯切割砷化镓晶体的加工过程.结果表明:当进给速度为0.6 mm.min-1,线速度为2.5 m.s-1时,切割表面平整,无崩碎现象,表面粗糙度值达55.21 nm.提高线速度,表面粗糙度减小;提高进给速度,表面粗糙度增加.当进给速度较大时,提高线速度,表面粗糙度减小不明显,其主要原因是由于进给速度过高后系统振动、冲击增强所致,而锯丝磨损、磨粒脱落也是切割表面质量降低原因之一.

砷化镓、硅单晶太阳能电池特性研究实验教学设计

针对目前高校太阳能电池实验教学大多基于单晶、多晶、非晶硅样品及不能解释不同电池性能差异本质原因的不足,新开设砷化镓单晶和硅单晶太阳能电池对比实验。该实验在暗伏安特性、开路电压和短路电流、输出特性等传统测量及数学拟合基础上,还给出在全光强范围内的最大输出功率值、开路电压短路电流的乘积值及其线性拟合,并据此提供全光强范围的填充因子曲线。最后,结合第一性原理方法计算的能带图,解释了两种太阳能电池性能差异的根本原因,弥补了以往实验教学的不足。

砷化镓单晶线性孪晶长度判断方法研究

本文研究线性孪晶在晶体中的生长存在规律性,根据几何关系的换算则可以计算出M-Twin需要切割的砷化镓单晶长度。实验验证利用理论公式计算晶棒的M-Twin长度与实际M-Twin切除长度接近,证明该计算方法可以判断砷化镓线性孪晶的长度,可以减少因人为误判而造成的浪费。

中显3T-VGF法砷化镓单晶棒试产成功

江苏中显机械有限公司正在研发生产国际上发展最快的新材料——第二代化合物半导体材料砷化镓单晶。近日．该公司拥有自主知识产权的3T—VGF法砷化镓单晶棒小试产品经国内权威机构认定．关键技术创新点为国内首创。

东北砷化镓单晶片及抛光片项目年底竣工投产

由黑龙江省大型民营企业锐普集团投资兴建的股份制企业——大庆佳昌科技有限公司集成电路用砷化镓单晶片及抛光片高技术产业化项目厂房建设及主体设备安装已于日前完成。据悉，项目的首期工程将于年底竣工投产。

我国“水平砷化镓单晶材料产业化”项目通过鉴定

据媒体报导，中国有色金属工业协会最近组织召开了“水平砷化镓单晶材料产业化”科技成果鉴定会，鉴定委员会认为，该项目利用本单位独创的石英舟预处理技术、生长系统设计和制造技术、固液界面特种加热炉设计和制造技术，研究开发了Ф2时和Ф2．5时水平砷化镓单晶牛长工艺技术及晶片加工工艺技术。通过提高单晶单炉产量和成品率，提高晶片加工成品率，实现了水平砷化镓单晶材料的产业化，达到了预期的目标。该项目的技术达到国际先进水平。

砷化镓晶体项目落户天津开发区

天津开发区与美国晶体技术公司日前签署投资合作协议，砷化镓晶体合成和晶体加工项目正式落户天津开发区。该项目年产2英寸砷化镓单晶抛光片900万片，产品将供应国内外砷化镓外延生产厂家。

砷化镓单晶的等效微重力生长

论述了砷化镓晶体的等效微重力生长的原理和所采用的方法 ,并讨论了主要结果。

〈511〉晶向GaAs单晶主次参考面的确定

在半导体照明工程中采用〈511〉晶向GaAs抛光片作为衬底材料进行外延生长制作LED器件。根据〈511〉晶向GaAs单晶的晶格结构特性,在晶片的生产加工过程中采用多步工艺进行其主次参考面的确定,通过采取理论分析和微观观察及X射线衍射测试的方法,互相对照,共同确定GaAs单晶的主次参考面的位置。单晶主次参考面的确定是整个晶片加工工艺链中的关键工艺,对提高生产效率、批量化生产具有很大的实用性。

FEC法生长Si和In双掺GaAs单晶生长技术

研究了几种消除LEC GaAs材料的位错措施以降低温度梯度从而尽可能降低晶体的热应力。掺入等电子In或Si使杂质硬化,为了抑制晶体表面产生位错,开发了全液封切克劳斯基(FEC)晶体生长技术。结合以上三种技术开发出了Si和In双掺FEC GaAs单晶生长技术以消除位错。采用此技术已生长出半导体低位错密度的GaAs晶体,经证实这种掺Si和In低位错GaAs衬底可以满足GaAs LED制作。

ICP-AES测定三甲基镓中痕量杂质

本文建立了用ＩＣＰ－ＡＥＳ测定三甲基镓中杂质Ｃａ、Ｍｇ、Ｃｏ、Ｂａ、Ｃｄ、Ｎｉ、Ｌｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｍｎ和Ｓｉ等１６种元素的方法。研究了样品的处理、基体镓对杂质元素的背景干扰、谱线干扰以及谱线强度的影响。检测限均小于１μｇ／ｇ，测定的相对标准偏差小于１％。

空间生长半绝缘GaAs单晶的器件研究

试图从器件应用角度来评价空间生长半绝缘ＧａＡｓ单晶性能。为此我们选择了设计制备相对成熟、对材料性能要求的侧重面又不尽相同的器件和ＩＣ， 并选择了六个与材料关系密切的参数作为评价的标称参数。实验结果表明。

VGF法Si-GaAs单晶生长过程中产生位错的因素

阐述了现有VGF法Si-Ga As单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素。与掺入杂质Si浓度;熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的PBN坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体等晶体生长工艺参数的影响。

中科镓英半导体有限公司

2004年,北京中科稼英半导体有限公司通过英国劳氏质量认证机构(LRQA)ISO9000体系认证,生产规模达到月产2英寸单晶片15000片.

温度对压痕法测试砷化镓显微硬度及裂纹形成和扩展的影响

在常温和低温下对砷化镓单晶进行压痕实验,分析温度对砷化镓单晶片显微硬度及其裂纹产生和扩展的影响。结果表明:当试验载荷处在低于0.244N的小载荷区时,砷化镓单晶片的显微硬度随着载荷的增加而增大;当载荷处在大于0.244N的高载荷区时,砷化镓单晶片的显微硬度则随载荷的增加而减小。同一载荷下,随着温度的升高,压痕过程中所产生的裂纹长度逐渐增长。在不同温度下,随着载荷的增加,砷化镓单晶片经历了从塑性变形到脆性断裂的转变。减小载荷和降低加工区温度,有利于减少或防止裂纹的产生,使砷化镓的加工处于塑性模态,从而有利于提高加工精度。

非掺半绝缘LEC-GaAs晶片热处理工艺研究

为了获得高质量半绝缘砷化镓单晶片 ,有必要降低微缺陷密度。开展了晶片热处理工艺的研究 ,确定了晶片热处理的温度、时间、降温速率等一系列工艺参数 ,证实了采用此项工艺能降低LEC GaAs晶片的砷沉淀密度 ,即AB EPD ,同时也保证了晶片的电学参数不受影响。通过对晶片热处理工艺过程和结果进行分析 ,给出了晶片热处理工艺理论模型的解释。