单晶硅衬底对Si-Al合金中块体硅生长的影响

硅与合金熔体的分离及合金元素的回收再利用一直是限制Si-Al合金凝固精炼工艺进一步应用的关键问题。本文采用温度梯度区域熔炼方法在Si-Al合金中生长块体硅。通过在合金熔体的底部引入单晶硅衬底,研究单晶衬底对于块体硅生长的形貌及杂质分布的影响。结果表明,单晶硅衬底的添加降低了合金熔体的温度梯度,块体硅以平直界面向上生长,生长速率明显变慢。在温度梯度2.4 K/mm和生长时间240 min时,块体硅的生长速率由石墨坩埚上的0.108μm/s下降至Si(100)衬底上的0.075μm/s。在相同的温度梯度和生长时间内,块体硅在Si(100)衬底上的生长速率明显快于Si(111)衬底。单晶硅衬底在块体硅生长过程中起到籽晶的作用。

单晶硅(001)衬底材料中非经典衍射的研究

在经典衍射理论中 ,不产生Si(2 0 0 )反射 .对此 ,作者通过理论和实验进行了证实 .由于Si晶体中电子云分布的非对称性 ,会出现Si(2 0 0 )衍射峰 .论述了Si(2 0 0 )

SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究

用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成，这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜（HREM）观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面，发现没有SiO2层存在。

MPCVD多晶金刚石薄膜的生长特性研究

本文用微波等离子化学气相沉积系统（MPCVD）在单晶硅衬底上制备多晶金刚石薄膜，反应气体为CH4和H2。利用扫描电镜（SEM）和Raman光谱研究了CH4流量和反应时间对多晶金刚石薄膜形貌和碳结构的影响。结果表明：随着CH4流量的增加，金刚石的成核密度增加，并出现二次形核，金刚石颗粒从单晶逐渐转变为多晶结构。多晶金刚石薄膜的生长过程为：生长初期在单晶硅衬底上形成非晶碳层，金刚石在非晶碳层上成核长大，并伴随着二次成核，最终形成多晶金刚石膜。

采用正交法研究金刚石偏压形核

在微波等离子体化学气相沉积装置中 ,采用正交试验法研究金刚石在镜面抛光的Si( 1 0 0 )面上的偏压形核过程中 ,形核时间、偏压电压、气压及甲烷浓度对形核密度的影响 ,研究结果表明 :形核密度随形核时间的增加而增加 ,适中的偏压电压和沉积气压有利于金刚石的形核 ,而甲烷浓度的影响很小。正交试验所得的最佳形核条件为偏压 -1 5 0V ;时间 1 2min ;气压 4kPa;CH4 比率 5 % ,在该条件下金刚石的形核密度达到 1 0 1 0 个 cm2 。

半导体光学材料及制备

O472/TN304.055 96042716SnO2;Pd/Si新气敏特性的研究=Study of the newgas-sensibility of SnO2:Pd/Si to reducinggases[刊,中]/沈凯华,吴孙桃,许淑恋（厦门大学物理学系）,朱文章（集美航海学院物理教研室）∥厦门大学学报.自然科学版.—1996,35（2）.

半导体所在单晶硅太阳电池研究中获得突破

由中科院半导体研究所韩培德研究员领导的光伏能源组，在国家纵向经费和自筹经费的支持下，瞄准光伏企业需求，经过多年苦战，综合了入射光减反技术、钝化技术、选择性发射极技术、背面局部重掺技术等优点，在单晶硅衬底上研发出效率高达20．0％的太阳电池（短路电流密度JSC=43．9mA／cm2，开路电压VOC=602mV，填充因子FF=O．758），并经中国计量科学研究院认证。