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单晶硅—纳米晶立方氮化硼薄膜类P—N结及其制作方法
1
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期69-69,共1页
关键词
专利
吉林大学
单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜
P
-
N结
制作方法
衬底加温
加负偏压
六角
氮化
硼
源加射频功率
下载PDF
职称材料
液固界面反应法制备c-BN纳米晶
被引量:
2
2
作者
钟向丽
王金斌
+2 位作者
张灿云
任志昂
杨国伟
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期186-187,共2页
通过高能脉冲激光诱导丙酮 六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c BN)纳米晶体为直径约30~80nm的类球状晶体。傅立叶变换红外光谱和X射线衍射都分别用来表征c BN的结构。
关键词
立方
氮化
硼
纳米
晶
液
-
固界面反应
制备
C
-
BN
透射电子显微镜
红外光谱
X射线衍射
下载PDF
职称材料
CN200610050827.9纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法
3
《磨料磨具通讯》
2007年第8期36-36,共1页
本发明公开的纳米晶立方氮:化硼薄膜的制备方法,步骤如下:①把衬底表面清洗干净放到气相生长装置的反应室,反应室真空度至少抽到10^-3Pa;②向反应室输入保护气体,加热衬底并控制其温度在300~1100℃,调节反应室压强到0.1~10Pa...
本发明公开的纳米晶立方氮:化硼薄膜的制备方法,步骤如下:①把衬底表面清洗干净放到气相生长装置的反应室,反应室真空度至少抽到10^-3Pa;②向反应室输入保护气体,加热衬底并控制其温度在300~1100℃,调节反应室压强到0.1~10Pa,在反应室中产生等离子体;③控制衬底偏压在0~250V,然后依次向反应室输入氮源,氯源和硼源,进行薄膜生长。
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关键词
立方
氮化
硼
薄膜
制备方法
纳米
晶
衬底偏压
反应室
气相生长
表面清洗
保护气体
原文传递
题名
单晶硅—纳米晶立方氮化硼薄膜类P—N结及其制作方法
1
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第5期69-69,共1页
关键词
专利
吉林大学
单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜
P
-
N结
制作方法
衬底加温
加负偏压
六角
氮化
硼
源加射频功率
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
液固界面反应法制备c-BN纳米晶
被引量:
2
2
作者
钟向丽
王金斌
张灿云
任志昂
杨国伟
机构
湘潭大学材料与光电物理学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期186-187,共2页
基金
国家自然科学基金资助项目(50072022)
湖南省教委基金资助项目(01C061)
文摘
通过高能脉冲激光诱导丙酮 六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c BN)纳米晶体为直径约30~80nm的类球状晶体。傅立叶变换红外光谱和X射线衍射都分别用来表征c BN的结构。
关键词
立方
氮化
硼
纳米
晶
液
-
固界面反应
制备
C
-
BN
透射电子显微镜
红外光谱
X射线衍射
Keywords
interfacial reaction
c
-
BN
nano
-
crystals
分类号
TQ163 [化学工程—高温制品工业]
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职称材料
题名
CN200610050827.9纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法
3
出处
《磨料磨具通讯》
2007年第8期36-36,共1页
文摘
本发明公开的纳米晶立方氮:化硼薄膜的制备方法,步骤如下:①把衬底表面清洗干净放到气相生长装置的反应室,反应室真空度至少抽到10^-3Pa;②向反应室输入保护气体,加热衬底并控制其温度在300~1100℃,调节反应室压强到0.1~10Pa,在反应室中产生等离子体;③控制衬底偏压在0~250V,然后依次向反应室输入氮源,氯源和硼源,进行薄膜生长。
关键词
立方
氮化
硼
薄膜
制备方法
纳米
晶
衬底偏压
反应室
气相生长
表面清洗
保护气体
分类号
O484.1 [理学—固体物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶硅—纳米晶立方氮化硼薄膜类P—N结及其制作方法
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
0
下载PDF
职称材料
2
液固界面反应法制备c-BN纳米晶
钟向丽
王金斌
张灿云
任志昂
杨国伟
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
2
下载PDF
职称材料
3
CN200610050827.9纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法
《磨料磨具通讯》
2007
0
原文传递
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