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单晶硅—纳米晶立方氮化硼薄膜类P—N结及其制作方法
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《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期69-69,共1页
关键词 专利 吉林大学 单晶硅-纳米晶立方氮化硼薄膜 P-N结 制作方法 衬底加温 加负偏压 六角氮化 源加射频功率
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液固界面反应法制备c-BN纳米晶 被引量:2
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作者 钟向丽 王金斌 +2 位作者 张灿云 任志昂 杨国伟 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期186-187,共2页
 通过高能脉冲激光诱导丙酮 六方氮化硼界面反应制备出了立方氮化硼纳米晶体,透射电子显微镜分析表明制备的立方氮化硼(c BN)纳米晶体为直径约30~80nm的类球状晶体。傅立叶变换红外光谱和X射线衍射都分别用来表征c BN的结构。
关键词 立方氮化 纳米 -固界面反应 制备 C-BN 透射电子显微镜 红外光谱 X射线衍射
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CN200610050827.9纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法
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《磨料磨具通讯》 2007年第8期36-36,共1页
本发明公开的纳米晶立方氮:化硼薄膜的制备方法,步骤如下:①把衬底表面清洗干净放到气相生长装置的反应室,反应室真空度至少抽到10^-3Pa;②向反应室输入保护气体,加热衬底并控制其温度在300~1100℃,调节反应室压强到0.1~10Pa... 本发明公开的纳米晶立方氮:化硼薄膜的制备方法,步骤如下:①把衬底表面清洗干净放到气相生长装置的反应室,反应室真空度至少抽到10^-3Pa;②向反应室输入保护气体,加热衬底并控制其温度在300~1100℃,调节反应室压强到0.1~10Pa,在反应室中产生等离子体;③控制衬底偏压在0~250V,然后依次向反应室输入氮源,氯源和硼源,进行薄膜生长。 展开更多
关键词 立方氮化薄膜 制备方法 纳米 衬底偏压 反应室 气相生长 表面清洗 保护气体
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