单晶硒纳米线的室温快速生长

本文报道了一个新颖的酸化方法在室温下于聚丙烯酸及其钠盐形成的缓冲体系中制得直径为50nm、长为5μm的单晶硒纳米线。使用此法可将硒纳米线的成核及生长时间缩短为3h。一系列表征结果证明利用这一简单有效的方法在短时间内可成功地生长出均一尺寸的硒纳米线。

铌硒化合物单晶的制备及其I-V曲线的测试

用气相输运法成功制备出了铌硒化合物 (NbSe3 )单晶 ,用电子扫描电镜 (SEM )观测发现 :制备出的单晶结晶性很好。另外 ,还对制备出的单晶进行了不同温度下的I V曲线测试。

表面活性剂控制的硒纳米线的室温生长

以表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS)为形貌导向剂,利用Na2Se在室温碱性水溶液中的自发氧化,成功制备了Se纳米线。用TEM、SEM、EDX、XRD、HRTEM、SEAD等手段表征了Se纳米线的组成和结构。结果表明,合成的Se纳米线是沿六方相Se的[001]轴方向生长,具有良好的晶型结构。使用TEM对不同时间Se纳米结构的生长过程的形貌进行了跟踪,探讨了Se纳米线的形成机理,发现其形成与生长过程符合"solid-solution-solid"机理。同时,选择了具有特异官能团(如-OH,-COOH,-CONH2)的3种表面活性剂,研究它们在纳米硒的取向性生长中的导向作用,只有SDS能引导合成出高质量的Se纳米线。

ZnSe单晶质量对其高密度激发发光的影响

用经多次提纯ZnSe原料生长的ZnSe单晶在77K和高密度光激发下观测到了激子—激子(Ex-Ex)散射的P带,随激发密度增加,P带强度增加较快。而在通常的原生ZnSe单晶中只能观测到一个与激子—载流子(Ex—e)散射的E_s′带,观测不到P带。经熔融锌中热处理的ZnSe单晶,在上述激发条件下,也观测到了P带。而且此带强度随热处理时间增加而增强。实验表明,P带的产生不仅与激发密度和温度有关,而且还与单晶质量有关。

不同激光波长和功率下的Bi_2Se_3单晶Raman光谱

采用改良Bridgman法制备出优质Bi_2Se_3单晶。X射线衍射仪和扫描电子显微镜测试结果显示,晶体沿[001]方向生长,结晶性能好。采用两种波长(532和785 nm)及不同功率的激光光源,对Bi_2Se_3单晶体(003)面进行了Raman光谱研究。结果表明:在功率较高时,随着激光功率的增加,Raman特征峰系统性红移和半高宽增大,此时峰位红移是由激光功率的增加,测试区域温度升高,晶格膨胀和声子间的非简谐振动耦合共同导致;在功率较低时,热膨胀可能是造成Raman峰位红移的主要原因。

In掺杂Bi2Se3晶体的电学性能与形貌

采用自助熔融法制备了高质量的In掺杂Bi_2Se_3(Bi_(2-x)In_xSe_3)单晶样品。研究了In掺杂对Bi_2Se_3样品的晶体结构、微观形貌及电输运性能的影响。结果表明:在Bi_(2-x)In_xSe_3样品中,In基本以替代Bi位的形式存在。随着In掺杂量的增加,样品晶格常数c减小,层状结构更加明显且堆叠层数增多。样品的电阻率随着In掺杂量的增加而明显增大,这可能跟掺杂样品内电离杂质的散射的贡献增大有关。另外,Bi_(2-x)In_xSe_3样品的磁电阻大小也与In掺杂量呈正相关关系,这是由于在In掺杂的样品中,In掺杂使得样品中声子散射效应增加,导致了体系中的磁电阻值增大。