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单晶钨高温长期服役下的显微组织演变行为
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作者 黄洪涛 郑剑平 +3 位作者 魏永峰 陈圣杰 王振东 谭成文 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期528-534,共7页
本文利用电子背散射衍射技术(EBSD)以及金相显微技术研究了热离子能量转换器发射极表面单晶钨涂层高温下服役1 000h的显微组织演变行为。研究结果表明,化学蚀刻后单晶钨涂层的蚀刻形貌与晶面指数具有一一对应关系,{110}晶面表面为平行... 本文利用电子背散射衍射技术(EBSD)以及金相显微技术研究了热离子能量转换器发射极表面单晶钨涂层高温下服役1 000h的显微组织演变行为。研究结果表明,化学蚀刻后单晶钨涂层的蚀刻形貌与晶面指数具有一一对应关系,{110}晶面表面为平行排列的台阶结构,{112}晶面表面为较为规则的立方体形,且层层相叠。服役后发射极单晶钨涂层表面蚀刻形貌沿轴向存在不均匀现象,与中间部分相比,端部蚀刻形貌保持相对完整。在发射极单晶钨涂层表面观察到小晶粒带,小晶粒平均尺寸约为200μm。也出现一些棱角不太分明没有完全突出且尺寸较小的亚晶,小晶粒尺寸比亚晶尺寸大。小晶粒表面指数并不是唯一的,没有明显的择优取向,但小晶粒和基体的取向差角均小于30°。 展开更多
关键词 单晶钨 热离子能量转换器 EBSD 蚀刻形貌
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单晶钨纳米线拉伸变形机理的分子动力学研究 被引量:5
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作者 马彬 饶秋华 +1 位作者 贺跃辉 王世良 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第17期360-364,共5页
利用分子动力学方法,对本课题组率先采用金属催化的气相合成法制备出的高纯度单晶钨纳米线进行拉伸变形数值模拟,通过分析拉伸应力-应变全曲线及其微观变形结构,揭示出单晶钨纳米线的拉伸变形特征及微观破坏机理.结果表明:单晶钨纳米线... 利用分子动力学方法,对本课题组率先采用金属催化的气相合成法制备出的高纯度单晶钨纳米线进行拉伸变形数值模拟,通过分析拉伸应力-应变全曲线及其微观变形结构,揭示出单晶钨纳米线的拉伸变形特征及微观破坏机理.结果表明:单晶钨纳米线的应力-应变全曲线可分为弹性阶段、损伤阶段、相变阶段、强化阶段、破坏阶段等五个阶段,其中相变是单晶钨纳米线材料强化的重要原因;首次应力突降是由于局部原子产生了位错、孪生等不可逆变化所致;第二次应力突降是发生相变的材料得到强化后,当局部原子再次产生位错导致原子晶格结构彻底破坏而形成裂口、且裂口不断发展成颈缩区时,材料最终失去承载能力而断裂.计算模拟得到的单晶钨纳米线弹性模量值与实测值符合较好. 展开更多
关键词 分子动力学 应力应变曲线 微观机理 单晶钨纳米线
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高纯钨单晶坯料预处理工艺研究 被引量:4
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作者 李哲 郭让民 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第2期144-146,共3页
探讨了三种预处理工艺 ,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响。采用高纯仲钨酸铵 (APT)经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺 ,可有效降低间隙杂质元素含量 ,保证电子束悬浮区域熔炼过程的稳定性 ,制备出材质... 探讨了三种预处理工艺 ,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响。采用高纯仲钨酸铵 (APT)经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺 ,可有效降低间隙杂质元素含量 ,保证电子束悬浮区域熔炼过程的稳定性 ,制备出材质优良。 展开更多
关键词 单晶 坯料纯度 预处理工艺 电子发射源材料
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高纯钨单晶坯料预处理工艺探讨 被引量:1
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作者 李哲 郭让民 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 2000年第z1期99-101,共3页
制备高质量的钨单晶的一个前提条件是坯料的纯度水平,而预处理则是决定坯料纯度的重要工序.本文探讨了三种预处理工艺,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、间隙杂质纯化作用方面的影响,证明采用高纯APT经还原、高温烧结、电子束熔炼预处... 制备高质量的钨单晶的一个前提条件是坯料的纯度水平,而预处理则是决定坯料纯度的重要工序.本文探讨了三种预处理工艺,讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、间隙杂质纯化作用方面的影响,证明采用高纯APT经还原、高温烧结、电子束熔炼预处理工艺,可有效降低间隙杂质元素含量,保证区域熔炼过程的稳定性,制备出材质优良,性能稳定的高纯钨单晶产品. 展开更多
关键词 单晶 坯料纯度 预处理工艺
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化学输运法制备钨单晶涂层及其表征
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作者 吕延伟 于晓东 +2 位作者 谭成文 马昆松 马红磊 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第B06期258-263,共6页
以晶体生长理论为基础,采用化学气相沉积工艺在常压下高效制备了高纯钨管。随后,以制备的高纯钨管为原料,在真空条件下通过化学输运方法在钼单晶棒表面制备出大面积特定晶体学取向的钨单晶涂层。利用X射线衍射和电子背散射衍射技术对获... 以晶体生长理论为基础,采用化学气相沉积工艺在常压下高效制备了高纯钨管。随后,以制备的高纯钨管为原料,在真空条件下通过化学输运方法在钼单晶棒表面制备出大面积特定晶体学取向的钨单晶涂层。利用X射线衍射和电子背散射衍射技术对获得的钨涂层进行了单晶定性和晶体质量分析;采用辉光放电质谱法对其进行了纯度测定;通过对单晶涂层进行纳米压痕实验和扫描电镜观察,获得了其微观力学性能和形貌等相关结果。结果表明,采用化学输运方法可以制备出具有特定晶体学取向、结晶完整性好和纯度极佳的高纯钨单晶涂层。 展开更多
关键词 化学气相沉积 单晶涂层 电子背散射衍射 辉光放电质谱 纳米压痕
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钨单晶中的塑—脆转变特性
6
作者 李勇 《钨钼材料》 1992年第1期58-61,共4页
关键词 单晶 塑一脆 转变
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大型钨单晶
7
作者 李有观 《世界有色金属》 2004年第3期71-71,共1页
关键词 单晶 日本科学技术厅金属材料研究所 制造方法 成本
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大型钨单晶
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作者 李玲玲 《新疆有色金属》 1994年第4期23-23,共1页
日本科学技术厅金属材料研究所研究出一种制造大型钨单晶的方法,可制成尺寸为140×100×4.6mm的钨单晶。
关键词 单晶 金属材料研究所 制造方法 多晶 微量添加元素 科学技术厅 高温加热 强韧性 研究出 加压成型
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Effect of crystal orientation on tensile mechanical properties of single-crystal tungsten nanowire 被引量:4
9
作者 马彬 饶秋华 贺跃辉 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第9期2904-2910,共7页
Based on the high-purity single-crystal tungsten nanowire firstly prepared by the metal-catalyzed vapor-phase reaction method, molecular dynamics method was used to calculate tensile stress-strain curves and simulate ... Based on the high-purity single-crystal tungsten nanowire firstly prepared by the metal-catalyzed vapor-phase reaction method, molecular dynamics method was used to calculate tensile stress-strain curves and simulate microscopic deformation structures of the single-crystal tungsten nanowires with different crystal orientations of 〈100〉, 〈110〉and 〈111〉, in order to reveal the effect of crystal orientation on their tensile mechanical properties and failure mechanisms. Research results show that all of the stress-strain curves are classified into four stages: elastic stage, damage stage, yielding stage and failure stage, where 〈100〉orientation has a special hardening stage after yielding and two descending stages. The crystal orientation has little effect on elastic modulus but great effect on tensile strength, yielding strength and ductility, depending on different atomic surface energies and principal sliding planes. The calculated values of elastic modulus are in good agreement with the tested values of elastic modulus. 展开更多
关键词 crystal orientation stress-strain curve failure mechanism molecular dynamics single-crystal tungsten nanowire
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钨单晶纳米压痕尺寸效应研究(英文) 被引量:4
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作者 张文 高选乔 +3 位作者 张平祥 胡忠武 李来平 程军 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第12期3626-3632,共7页
利用纳米压痕仪和扫描探针显微镜对高纯钨单晶的载荷-位移曲线、弹性模量、压痕形貌、纳米硬度-加载深度以及弹性回复率的变化情况进行了研究。结果表明,W(111)晶面在加载和卸载过程中分别经历了弹性变形和塑性变形阶段,荷载-位移曲线... 利用纳米压痕仪和扫描探针显微镜对高纯钨单晶的载荷-位移曲线、弹性模量、压痕形貌、纳米硬度-加载深度以及弹性回复率的变化情况进行了研究。结果表明,W(111)晶面在加载和卸载过程中分别经历了弹性变形和塑性变形阶段,荷载-位移曲线未出现不连续现象,表明在加载过程中压痕内部未产生裂纹或脆性断裂;钨单晶的残余压痕表现出堆积形貌,表明钨单晶有较低的加工应变硬化趋势;采用连续刚度法测量了钨单晶的纳米压痕硬度以及弹性模量,结果表明,钨单晶纳米压痕硬度和弹性模量存在尺寸效应,即随着加载深度的增加,单晶的纳米压痕硬度和弹性模量减小;采用Nix-Gao模型对钨单晶的纳米压痕力学特征进行了分析,计算了钨单晶的微观特征长度(h*)为1490 nm,无压痕尺寸效应时的纳米硬度值(H0)为6.79 GPa,尺寸效应因子(m)为0.18,即压入深度小于1490 nm时,钨单晶具有明显的尺寸效应,当压入深度超过1490 nm时,尺寸效应将减弱。当压入深度超过2450 nm时,钨单晶的纳米尺寸效应将消失。 展开更多
关键词 单晶 纳米压痕 弹性模量 压痕尺寸效应
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Theoretica Study on defects associated with lead vacancies in PbWO4 crystals
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作者 姚明珍 顾牡 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2003年第1期84-88,共5页
The defects associated with lead vacancies(VPd)in lead tungstate crystals(PbWO4) are investigated by the relativistic self-consistent discrete variational embedded cluster method.We focus on the density of states and ... The defects associated with lead vacancies(VPd)in lead tungstate crystals(PbWO4) are investigated by the relativistic self-consistent discrete variational embedded cluster method.We focus on the density of states and the effect of Vpb on surroundings,the results show that the existence of Vpb can diminish the bandwidth of WOr^2- group,however,it can neither produce O^- and Pb^3+ ions nor result in absorptions at 350 and 420nm,The charge balance of VPb may be evenly compensated by the surrounding oxygen ions. 展开更多
关键词 单晶 铝空穴 缺陷
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Synthesis and Crystal Structure of Ammonium cis-Dioxo Dibenzilato Tungstate (VI) Dihydrate 被引量:1
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作者 ZHAOHong JIANGYa-Qi ZHANGHui ZHOUZhao-Hui 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第5期502-505,共4页
A mononuclear tungsten-benzilate, (NH4)2[WO2(Ph2COCOO)2]?H2O was ob- tained by the reaction of ammonium tungstate(VI) with excess benzilic acid in ethanol solution at pH 5~6. The title compound crystallizes in monocli... A mononuclear tungsten-benzilate, (NH4)2[WO2(Ph2COCOO)2]?H2O was ob- tained by the reaction of ammonium tungstate(VI) with excess benzilic acid in ethanol solution at pH 5~6. The title compound crystallizes in monoclinic system, space group P21/n with a = 8.1078(5), b = 25.797(2), c = 13.6815(8) ? b = 91.001(1)? V = 2861.1(3) 3, Dc = 1.719 g/cm3, F(000) = 1472, C28H32N2O10W, Mr = 740.41, m(MoKa) = 4.097 mm-1 and Z = 4. The full-matrix least-squares refinement resulted in R = 0.033 and Rw = 0.068 for 3974 observed reflections with I >2s(I). The tungsten atom is six-coordinated by two cis-oxo groups and two bidentate benzilate ligands through deprotonated a-alkoxyl and a-carboxyl groups, forming a stable five-membered chelate ring. The compound has a distorted octahedral geometry, which is mainly attributable to the bulky ligand-ligand repulsions. 展开更多
关键词 oxotungstate(VI) TUNGSTATE benzilic acid benzilate crystal structure
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Syntheses of Two Chiral Clusters [η~5-C_5H_4C(NR)CH_3]- RuNiM(CO)_5(μ_3-S) (R =NH-C_6H_3-2,4-(NO_2)_2,M=Mo,3;M=W,4) and the Single-crystal Structure of Cluster 3
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作者 边治国 陈玉岗 +1 位作者 殷元骐 李庆山 《Chinese Journal of Structural Chemistry》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期301-304,共4页
The new chiral clusters [h5-C5H4C(NR)CH3]RuNiM(CO)5(m3-S) (R = NH-C6H3-2,4- (NO2)2, M = Mo, 3; M = W, 4) were synthesized and the structure of cluster 3 was determined by single-crystal X-ray analysis. Crystal data: C... The new chiral clusters [h5-C5H4C(NR)CH3]RuNiM(CO)5(m3-S) (R = NH-C6H3-2,4- (NO2)2, M = Mo, 3; M = W, 4) were synthesized and the structure of cluster 3 was determined by single-crystal X-ray analysis. Crystal data: C23H16O9N4MoNiRuS, Mr = 780.18, orthorhombic, space group Pbca with the following crystallographic parameters: a = 13.207(4), b = 16.036(5), c = 25.513(8) , Z = 8, V = 5403(3) 3, Dc = 1.918 g/cm3, m = 1.834 mm-1 and F(000) = 3072. The final R = 0.0512 and wR = 0.1132 for 2525 reflections with I > 2.00s(I). 展开更多
关键词 synthesis CHIRAL CLUSTER crystal structure
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