铸造单晶硅性能和应用分析

以G6型多晶硅定向凝固铸锭炉生长的铸造单晶硅为研究对象,对其性能特点及应用进行分析。铸造单晶硅中含有位错、亚晶粒、多晶晶粒、间隙态元素和硬质点等缺陷。在铸造单晶硅制备过程中,因长晶界面不平及杂质存在的原因,硅锭生长时存在较大的应力,致使硅原子排列出现错排,从而导致位错、亚晶粒和多晶晶粒的产生,其中多晶晶粒的晶向主要有(331)等;在硅锭的中上部易产生位错,并随着晶体生长大量增殖。铸造单晶硅中的间隙态元素Fe和O的分布规律和铸造多晶硅相似;硬质点的主要成分是氮化硅和碳化硅。缺陷密度较低的铸造单晶片制作成钝化发射极背面接触(PERC)太阳电池,其光电转换效率达21.7%,较直拉单晶硅PERC太阳电池低0.4%。

电注入退火条件对铸造单晶硅PERC电池抗LID效应影响的研究

铸造单晶硅太阳电池由于性价比高,在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象,采用现有工业生产的电注入退火方法,分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明:经180℃的电注入退火处理,电池效率的变化率为-0.64%,经60kW·h的光照后,电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后,电池效率提高1.12%,且经60kW·h的光照后,电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明,260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。

p型铸造单晶硅光注入再生后LID与LeTID的机制分析

光致衰减(LID)与热辅助光诱导衰减(LeTID)是晶硅太阳电池的2种主要衰减,其典型光注入条件分别为25℃、1 sun(LID环境)和75℃、1 sun(LeTID环境)。从有效少子寿命的角度研究p型铸造单晶硅的衰减机制。200℃、7 suns光注入处理过程中样品少子寿命先下降后恢复,这一过程称为光注入再生处理。在LID环境下,无光注入再生处理的样品具有快速与慢速2个衰减阶段,光注入再生处理的样品只有快速衰减阶段。计算两组样品带隙中央附近的缺陷电子/空穴俘获截面比k约为7,表明其中缺陷与直拉单晶硅(Cz-Si)中的BO缺陷相同。对光注入再生处理的样品,在LeTID环境下的衰减阶段计算出k约为35,此数值与多晶硅(mc-Si)中LeTID缺陷的一致。

高温合金定向凝固技术研究历程及展望

简要回顾了定向凝固技术发展过程,分析了各种定向凝固工艺的特点,介绍了定向凝固技术目前的研究热点和难点,并指出了目前高温合金单晶叶片生产中亟需解决的几个共性技术问题。

专利摘要

用于单晶铸造的耐热高强镍基超合金材料；采用消失模工艺生产优质铸件的方法；

太阳能级多晶硅铸锭技术研究现状及发展趋势

讲述了铸锭技术的原理及特点,对铸锭技术的发展现状进行了评述,从高效铸锭用籽晶、高效坩埚、热场改造及模拟、铸造单晶方面进行了论述,并对今后铸锭技术的发展趋势进行了探讨。