环境温度对单晶锗片低温抛光去除率的影响研究

在分析了单晶锗片低温抛光工艺的基础上,进行了四种不同参数的单晶锗片低温抛光实验。分析了不同温度条件下,单晶锗片去除速率的变化原因,提出了基于醚类辅助抛光液的自锐型低温抛光工艺,为冰冻固结磨料抛光单晶锗片的研究开辟了新途径。结果表明:环境温度对冰冻固结磨料抛光盘表层融化速率影响显著,10℃时即会导致融化过快;抛光区域摩擦产生的热量小于环境温度-10℃时的对流换热,会导致冰盘表面二次凝固;环境温度-10℃时加入醚类辅助抛光液可实现冰盘在低温下的自锐性。

太阳能电池用锗单晶片加工废料综合回收利用研究

用过滤法对废料液中的C10号切割润滑油进行分离,再对分离出的油液进行分馏提纯,C10号润滑油回收率可达到72.6%。过滤分离油后的锗和碳化硅粉的残渣经灼烧后,在NaOH溶液中用过氧化氢进行氧化溶解锗,使其进入溶液,然后过滤分离出溶液中不溶解的碳化硅粉,进行加热洗涤净化后得到纯净的碳化硅粉,碳化硅粉的回收率可达到95.6%。对富含锗的溶解滤液进行蒸发浓缩水分后,用盐酸蒸馏得到GeCl4,锗回收率可达到98%以上。

Φ6.5mm×8.9mm半导体锗单晶圆片电阻率的测定

利用四探针技术对Φ6.5mm×8.9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序。

化学腐蚀工艺对锗单晶片机械强度的影响

锗单晶的机械强度受单晶生长方式和加工工艺等多因素的影响。在衬底片的加工过程中,晶片的强度随加工工艺变化。切割和磨削后的锗单晶片强度都很低,经过化学腐蚀后强度大幅提高,因此化学腐蚀成为影响锗单晶片机械强度的关键工艺。本工作研究了化学腐蚀液的组分、温度、腐蚀方式等对锗抛光片机械强度的影响,有效提高了锗抛光片的机械强度。

空间太阳电池用超薄Ge单晶片的CMP技术

以Ge单晶抛光片为衬底的空间太阳电池在我国的应用已越来越多。目前,抛光后Ge单晶片的几何参数,尤其是表面状态常不能满足使用要求。介绍了超薄Ge衬底片抛光的工艺技术,开展了抛光压力、抛光盘转速与抛光去除速率的关系实验,对影响Ge单晶抛光片几何参数和表面质量的原因进行了分析和实验研究。工艺优化后抛光的产品完全满足了空间高效太阳电池的衬底的使用要求。

锗片的高速机械化学研磨工艺研究

利用机械化学研磨的原理对锗片进行高速研磨。以研磨压力、主轴转速、磨料成分和磨料粒度为影响材料的去除率和工件表面粗糙度的主要因素,进行对比性实验,通过实验分析研究确定了的锗片研磨加工工艺,加工后的锗片能够满足使用需要。