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高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理
被引量:
1
1
作者
胡强
卢铁城
+5 位作者
敦少博
张松宝
唐彬
代君龙
朱莎
王鲁闽
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1543-1548,共6页
研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge^+和Ge^2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了...
研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge^+和Ge^2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了10^16~10^18cm^-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品.用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在,并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量.通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸.用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布,与实验结合,得到纳米晶形成的物理机制,即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge^+和Ge^2+相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关.
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关键词
Ge纳米晶
阈值剂量
单束双能离子注入
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职称材料
题名
高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理
被引量:
1
1
作者
胡强
卢铁城
敦少博
张松宝
唐彬
代君龙
朱莎
王鲁闽
机构
四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室
中国工程物理研究院核物理与化学研究所
Department of Nuclear Engineering and Radiological Sciences
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第8期1543-1548,共6页
基金
国家自然科学和中国工程物理研究院联合基金资助项目(批准号:10376020)~~
文摘
研究了单束双能高剂量Ge离子注入、不经过退火在非晶态SiO2薄膜中直接形成镶嵌结构Ge纳米晶的物理机制.实验中利用不加磁分析器的离子注入机,采用Ge弧光放电离化自动形成的Ge^+和Ge^2+双电荷离子并存的单束双能离子注入方法,制备了10^16~10^18cm^-2多种剂量Ge离子注入的Si基SiO2薄膜样品.用GIXRD表征了Ge纳米晶的存在,并仔细分析得到了纳米晶形成的阈值剂量.通过TEM分析了Ge纳米晶的深度分布和晶粒尺寸.用SRIM程序分别计算了双能离子在SiO2非晶层的射程和深度分布,与实验结合,得到纳米晶形成的物理机制,即纳米晶的形成与单束双能离子注入时Ge^+和Ge^2+相互碰撞产生的能量沉积在SiO2中形成的局域高温有关.
关键词
Ge纳米晶
阈值剂量
单束双能离子注入
Keywords
Ge nanocrystals
threshold dose
ion implantation of mono-beam with two kinds of energy
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高剂量离子注入直接形成Ge纳米晶的物理机理
胡强
卢铁城
敦少博
张松宝
唐彬
代君龙
朱莎
王鲁闽
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
1
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职称材料
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