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应用于MEMS的多孔硅的制备方法研究 被引量:5
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作者 韩建忠 倪国强 +2 位作者 崔梦 胡明 田斌 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期32-34,共3页
采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5~10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)... 采用化学腐蚀法、单槽电化学腐蚀法和双槽电化学腐蚀法来进行多孔硅的制备,通过对比这三种方法所制备多孔硅的表面形貌特征,发现双槽电化学腐蚀法与其它两种方法相比,具有孔径尺寸小(可达5~10 am)、均匀性好、腐蚀深度大(可达几百nm)等优点,其制备的多孔硅更符合在MEMS中应用的要求.最后对双槽电化学腐蚀法中腐蚀时间及电流密度对腐蚀速率的影响进行了研究. 展开更多
关键词 多孔硅 MEMS 制备方 双槽电化学腐蚀 化学腐蚀 单槽电化学腐蚀法 微电子机械系统
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