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InGaAsP多量子阱微盘激光器 被引量：2
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作者 宁永强 武胜利 +5 位作者 王立军 林久龄 刘云 傅德惠 刘育梅 金亿鑫 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1998年第5期345-348,共4页
采用湿法化学腐蚀在气源ＭＢＥＩｎＧａＡｓＰ多量子阱材料上制作了微盘型激光器，直径８μｍ的微盘激光器表现出很好的单模激射特性，阈值泵浦功率为１７０μＷ，激射线宽为１．５ｎｍ．
关键词 微盘激光器 多量子阱 铟镓砷磷 单模激射特性
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