薄膜的自组织设计及形貌控制(英文)

采用单源化学气相沉积 (SSCVD)法 ,在Si( 1 0 0 )基片上通过改变前驱反应体与基片的入射角度 ,获得了可控柱状取向的ZnO薄膜。研究发现 ,入射角度的改变可使沉积薄膜中的柱状结构的生成方向倾斜。但X射线衍射 (XRD)分析表明 :ZnO薄膜的c轴 ( 0 0 2 )取向与入射角无关 ,且不沿ZnO柱状结构的生长方向取向。由于ZnO的 ( 0 0 2 )面为其表面自由能最低且原子密度高的晶面 ,ZnO薄膜的生长更易于在垂直于基片表面的方向c轴取向生长。