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S波段单片低噪声放大器 被引量:3
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作者 彭龙新 李建平 +1 位作者 蒋幼泉 魏同立 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期5-9,共5页
S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行... S波段单片低噪声放大器采用了 0 5 μm3英寸 ( 76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5V)供电 .对 3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 ,并对放大器进行了增益和相位的统计 .统计表明 :在S波段带宽 30 0MHz范围内 ,增益在 2 4 5~ 2 6dB范围内 ,相位线性度小于 1°,相位偏差± 7°,噪声系数最大 1 4dB ,输入输出驻波最大 1 4,1dB压缩输出功率大于 1 0 5dBm .另外 ,还对放大器进行了高温。 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管 微波集成电路 单片低噪声放大器 静电
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UHF/SHF单片低噪声放大器的设计 被引量:2
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作者 唐健 李俊生 王晓亮 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2016年第7期133-135,139,共4页
利用源极负反馈和共轭匹配的方法,设计出一种特高频及超高频(UHF/SHF)单片低噪声放大器,工作频带在2.65~3.45GHz范围内,噪声系数小于1.5dB,增益大于25dB,带内平坦度为±0.5dB、电压驻波比小于1.5.结果表明该低噪声放大器性能好、... 利用源极负反馈和共轭匹配的方法,设计出一种特高频及超高频(UHF/SHF)单片低噪声放大器,工作频带在2.65~3.45GHz范围内,噪声系数小于1.5dB,增益大于25dB,带内平坦度为±0.5dB、电压驻波比小于1.5.结果表明该低噪声放大器性能好、成本低、体积小、成品率高,能够满足现代通信技术的要求. 展开更多
关键词 单片低噪声放大器 高电子迁移率晶体管 ADS
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宽带单片低噪声放大器的增益温度补偿 被引量:5
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作者 Peng, Long-Xin Yang, Nai-Bin Lin, Jin-Ting 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期934-937,共4页
分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.... 分析了PHEMT的增益-温度特性和漏电流-温度特性,发现PHEMT增益和漏电流都是随温度的升高而降低,并发现了一定栅宽的PHEMT在大于某一频率时,其增益受温度变化较小的原因.提出了两种自动温度补偿的方法,并分析了每种方法的温度补偿原理.串联源电阻的温度补偿可使PHEMT的漏电流基本保持不变,在一定程度上能降低温度对增益的影响.而自动栅压温度补偿则是强温度补偿,它可随温度的升高,自动提高栅极电压,提高PHEMT的跨导,从而大大减少温度对增益的影响,达到温度补偿的目的.把这两种自动温度补偿的方法结合应用到宽带低噪声放大器中,发现补偿效果良好.试验发现温度补偿后,温度从-55℃~+85℃时和-55℃~+125℃时,放大器的增益在6GHz时的降差分别减小了60%和51%,较大地改善了放大器的温度-增益性能. 展开更多
关键词 赝配高电子迁移率晶体管 宽带单片低噪声放大器 漏电流温度特性 增益温度特性 增益温度补偿
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基于248 nm扫描光刻机工艺的0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器 被引量:3
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作者 王溯源 章军云 +1 位作者 彭龙新 黄念宁 《电子与封装》 2019年第8期39-43,共5页
报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB... 报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。 展开更多
关键词 248 nm扫描光刻机 烘胶工艺 X波段 GAAS 限幅噪声放大器
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单电源低电压InGaP/InGaAs PHEMT低噪声单片放大器
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作者 刘训春 陈俊 +7 位作者 王润梅 王惟林 李无瑕 李爱珍 陈建新 陈意桥 陈晓杰 杨全魁 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第3期161-164,共4页
制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5~3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时... 制备了增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件结构、阈值控制以及单电源低电压低噪声单片放大器。获得了阈值电压接近0V的增强型InGaP/InGaAsPHEMT器件,并在此基础上设计制作了可在1.5~3V低电压和单电源下工作的2.5GHz低噪声单片放大器。同时对该电路性能的进一步提高进行了模拟分析。 展开更多
关键词 电源 InGaP/InGaAs PHEMT 噪声放大器
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A Ka Broadband High Gain Monolithic LNA with a Noise Figure of 2dB 被引量:2
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作者 黄清华 刘训春 +2 位作者 郝明丽 张宗楠 杨浩 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1457-1460,共4页
A four-stage monolithic microwave integrated circuits (MMIC) low noise amplifier (LNA) operating from 23 to 36GHz is reported using commercially available 0.15μm PHEMT technology. The LNA is self-biased. To achie... A four-stage monolithic microwave integrated circuits (MMIC) low noise amplifier (LNA) operating from 23 to 36GHz is reported using commercially available 0.15μm PHEMT technology. The LNA is self-biased. To achieve a low noise characteristic, careful optimizations of gate width are performed to reduce gate resistance. Absorption circuits and an elaborate bias structure with a resistor-capacitor network are employed to improve stability. Multiple resonance points and negative feedback technologies are used to widen the bandwidth. Measurements show a noise figure (NF) of less than 2.0dB,and the lowest NF is only 1.6dB at a frequency of 31GHz. In the whole operation band,the LNA has a gain of higher than 26dB,and an input return loss and output return loss of more than 11 and 13dB,respectively. The output power at ldB compression gain of 36GHz is about 14dBm. The chip area is 2.4mm ×1mm. 展开更多
关键词 MMIC LNA Ka broadband NF high gain
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半导体集成电路、单片和多片集成电路
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《电子科技文摘》 1999年第5期30-30,共1页
Y98-61305-383 9905881新颖功率器件用技术 CAD=Technology CAD for smartpower devices[会,英]/Simlinger,T.& Pichler,Ch.//1997 Proceedings of the International SemiconductorConference,Vol.2.—383~393(UV)对 VLIC 技术来... Y98-61305-383 9905881新颖功率器件用技术 CAD=Technology CAD for smartpower devices[会,英]/Simlinger,T.& Pichler,Ch.//1997 Proceedings of the International SemiconductorConference,Vol.2.—383~393(UV)对 VLIC 技术来说,技术 CAD 是标准过程开发方法的有益补充。文中重点探讨了适用于新颖功率器件开发利用的技术 CAD 用维也纳综合系统(VISTA)。叙述了 VISTA 的结构、最佳模块和应用实例。给出了一些结论以及 VISTA 进一步开发的设想。这是一篇特邀论文。 展开更多
关键词 集成电路 半导体集成电路 功率器件 开发利用 开发方法 综合系统 应用实例 标准过程 电子技术应用 单片低噪声放大器
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基本电子电路
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《中国无线电电子学文摘》 2006年第1期67-73,共7页
关键词 电感电容压控振荡器 单片低噪声放大器 频率合成器 频率综合器 圆形槽波导 第二代电流传输器 滤波器电路 FPGA 光波导放大器 TN 电子电路 电子技术
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