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题名新型微波有源混频放大MMIC设计
被引量:2
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作者
李佩
陈兴国
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机构
中国电子科技集团公司第
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2006年第1期27-30,共4页
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文摘
采用0.25μm GaAs PHEMT工艺实现了单片S波段(2.6GHz^3.6GHz)有源混频放大器。电路采用改进的差分对本振和共栅射频混频形式,具有较大的变频增益和高的隔离度,同时将补偿放大器与变频器结合在一起,提高了单元电路的集成度。本文着重介绍了建模分析和应用ADS软件进行仿真优化。测试结果:输入LO和RF,LO和IF的隔离度都大于50dB,变频增益大于12 dB。
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关键词
GAAS
PHEMT工艺
单片有源混频放大器
ADS软件
变频增益
隔离度
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Keywords
GaAs PHEMT technology, Active mixer and amplifier, ADS software, Frequency conversation, Insulation
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分类号
TN722
[电子电信—电路与系统]
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