微波、毫米波单片集成电路(MIMIC)技术

本文主要叙述微波、毫米波单片集成电路的性能及其应用。

微波和毫米波单片集成电路（MIMIC）计划的追溯

自美国国防部（DoD）微波和毫水波单片集成电路（microwave and millimeter—wave monolithic integrated circuits—MIMIC）计划开始至今，已经过去了四分之一个世纪。

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设,2001年起试运行,2004年起正式运行。

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设。

基于0·25μm GaAs PHEMT工艺的32GHz毫米波单片功率放大器

设计、制造和测试了基于0·25μm栅长GaAs工艺的32GHz毫米波单片功率放大器.该功率放大器采用三级放大,工作电压为6V,工作电流为600mA.带内最大小信号增益为17·4dB,在32GHz具有0·5W的饱和功率输出.

基于微缩雷达应用的硅基毫米波片上天线（英文）

为研究小型化、微型化天线在现代无线应用中的集成趋势,对当前工艺水平下的毫米波段片上天线(AoC)设计进行了总结。从集成角度,对单片集成和混合集成的概念分别进行了优劣比较和讨论。作为一个单片集成技术方案的可靠候选,对硅基单片毫米波集成电路(SIMMWIC)技术进行了介绍,并给出了利用该技术实现的整流天线例子。通过单片集成的雪崩二极管发射机展示了如何利用三维电磁仿真工具设计及证明片上天线的性能,利用仿真和实际验证探讨了硅基毫米波片上天线的挑战和方法,为小型化雷达系统方案提供了一个稳固的基础。

氮化镓毫米波功放技术发展

氮化镓(GaN)毫米波功放器具有工作频率高、输出功率大、功率转换效率高等优势,在新一代移动通信、高分辨毫米波成像雷达等领域具有广阔的应用前景。本文综述了国内外GaN毫米波功率器件发展历史和低损耗栅结构、短沟道抑制技术、寄生电阻抑制技术等关键技术特点,综合分析了适合Ka-W波段GaN单片毫米波集成电路(MMIC)功放的架构和设计方法,提出了未来我国在高效率、高功率、高频带、多功能集成GaN毫米波芯片领域开展更深入研究的建议。

毫米波器件的技术发展与应用

对毫米波器件的技术进步和研发水平进行了详细论述,同时对毫米波器件关键的材料、工艺及集成电路的发展进行了分析,指出该技术的应用在军事上有着广阔的前景,对雷达、毫米波通信、精密制导等装备的研制有较好的指导作用。

被动毫米波成像系统

在叙述常见几种成像系统的基础上,重点阐述了被动毫米波成像原理及其系统结构,提出了基于MMIC被动毫米波成像的关键技术,指出了应用MMIC技术实现毫米波接收器的重要性及该成像系统的应用领域。

微波集成电路、毫米波集成电路

Y2000-62085-229 0007558集成了微加工滤波器和倒装有源器件的 K 波段接收机前端集成电路=K-band receive front-end IC integrat-ing micromachined filter and flip-chip assemble active de-vices[会,英]//1999 IEEE MTT-S International Mi-crowave Symposium,Vol.1.—229～232(U)现已开发出一种在硅衬底上集成了微加工低损耗滤波器和倒装片有源器件的新型三维 K 波段接收机前端集成电路。

Ka频段6W固态集成功放的热分析与设计

热模拟是毫米波中高功率放大器设计中的关键环节之一,可靠的散热结构可确保系统中有源器件工作在额定温度下,而基于有限元方法的数值模拟技术是毫米波功率放大器热分析的重要工具。针对由四块毫米波功率单片合成的Ka频段6W固态集成功放,采用有限元软件ANSYS建立了其三维热模型,对模型在空气自然对流情况下的温度分布状况进行了模拟和分析,模拟结果与实测值基本吻合,验证了模型的有效性。研究结果对毫米波功率放大器的热设计提供了重要的理论依据。

60GHz单级功率放大器的设计

该文探讨了60 GHz功率放大器的设计方法,设计并测试了基于0.07μm GaAs工艺的60 GHz毫米波单片功率放大器,该放大器采用共源结构,单级放大,工作电压为1.2 V,工作电流为27 mA,在62.2 GHz时有最大小信号增益4.9 dB,60 GHz时仿真的输出1 dB压缩点功率为12 dBm。

fmax=325GHz的多指共基极InGaAs／InPDHBT

数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低的1／f噪声等优点，因而在超高速数模混合电路、毫米波／亚毫米波单片集成电路方面具有广阔应用前景。南京电子器件研究所基于76．2mm圆片工艺，研制出fmax达325GHz的四指共基极InPDHBT器件，击穿电压大于10V。

一种高精度宽带幅相控制多功能MMIC

利用0.15μm GaAs E/D PHEMT工艺研制了一款C-X波段多功能MMIC芯片,集成了2个驱动放大器、1个6位数控移相器、1个6位数控衰减器、4个单刀双掷开关、数字驱动器、均衡器和增益调节电路。其中移相器基于新颖的"非折叠式"兰格耦合器、改进的反射型负载,具有移相精度高、插入损耗小等优点,并内部集成对应的数字逻辑驱动电路,简化使用。多功能芯片测试结果表明:工作频带内移相误差均方根值(RMS)在发射和接收模式下均小于3°,所有移相态增益变化RMS小于0.3dB;衰减误差RMS小于0.5dB,附加调相从-4°^+6°。发射支路增益大于4dB,输出P1dB大于12dBm;接收支路增益大于3dB,输出P1dB大于10dBm。

Ka波段低噪声放大器的设计

利用 p HEMT工艺设计了一个 Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出 1 d B压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于 2 0 d B,噪声系数小于 1 .0 d B,1 d B压缩点的输出功率在 1 0 d Bm以上 ,性能优异的 LNA。

“电子复兴计划”奏响射频“协奏曲”

当前的战争逐渐从以重装平台为中心的网络战时代过渡到以蜂群、分布式杀伤、马赛克等为特征的新型网络战时代,小型化、智能化、无人化、具备自适应能力的平台的比重日益增大,这类应用系统对整合射频载荷的需求更加急迫,必然要求微系统技术能够发展到与之相匹配的水平。因此,一旦美国实现以电子复兴计划为代表的微系统技术突破,将继续保持其军事优势。

12～18 GHz GaAs MMIC低噪声放大器设计

采用GaAs工艺设计了一个12～18GHz毫米波单片集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)。采用三级单电源供电放大结构,运用最小噪声匹配设计、共轭匹配技术和负反馈结构,同时满足了噪声系数、增益平坦度和输出功率等要求。仿真表明:在12～18GHz的工作频带内,噪声系数为1.15～1.41dB,增益为27.9～29.1dB,输出1dB压缩点达到15dBm,输入、输出电压驻波比(VSWR)系数小于1.72。

电子科学技术研究院科研情况介绍

电子科学技术研究院现已拥有具备国际先进水平的低温共烧陶瓷(LTCC)技术生产线、微波毫米波组件生产线和整机装配线,产品涉及领域包括LTCC材料与器件技术、铁氧体材料与器件技术、微波毫米波电路与器件、微波毫米波单片集成电路、数字/数模混合集成电路设计、片上系统(SOC)设计、航电系统与技术、机载电子信息系统、

微波技术的现状和发展趋势——1987年IEEE MTT—S国际微波会议情况介绍

1987年IEEE MTT-S国际微波会议于1987年6月9日至12日在美国Las Vegas举行。同时联合召开的还有微波及毫米单片集成电路(MMIC)会议。这次会议共有18个国家的代表参加,宣读论文222篇。有200余家公司参加展览。是一次规模宏大,反映国际最高水平的会议。我国有八名代表参加会议(此外尚有数名在国外的留学生),宣读论文11篇。与以往几年比较,这次被录用的论文数大大增加了(1985年为4篇,1986年为6篇)。根据这次会议宣读的论文,专题讨论会的内容以及展览会的情况。