Ka频段GaAs单片平衡混频器

Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器江关辉，孙柏根，高葆薪，孙迎新，戴沛然（南京电子器件研究所，２１００１６）（清华大学电子工程系，北京，１０００８４）Ｋａ－ＢａｎｄＭｏｎｏｌｉｔｈｉｃＧａＡｓＢａｌａｎｃｅｄＭｉｘｅｒ￥ＪｉａｎｇＧｕａｎｈｕｉ；ＳｕｎＢ...

Ka频段GaAs单片平衡混频器

报道Ｋａ频段ＧａＡｓ单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“ＴＵＭＭＩＸＥＲ”软件进行电路设计，工艺以半绝缘ＧａＡｓ为衬底，采用ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ接触形成肖特基势垒二极管，以ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质为保护膜，增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为：２ｍｍ×３ｍｍ×０．２ｍｍ，在ｆ＝３１～３６ＧＨＺ范围内ＮＦＳＳＢ≤１０ｄＢ，最佳点ｆ＝３２．２ＧＨｚＮＦ．ＳＳＢ＝８．７ｄＢ［ｆＩＦ＝１．２ＧＨｚ］。

330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器

在太赫兹频段,二极管尺寸与波长相比已不能忽略,二极管的封装会引入很大的寄生参量,因此需建立二极管三维模型提取寄生参数.同时人工装配难度增大,会增加电路不确定性.采用12μm砷化镓单片集成悬置微带线结构,基于电子科技大学与中国电子科技集团第十三研究所自主联合设计的肖特基二极管研制330 GHz砷化镓单片集成分谐波混频器.实测结果显示在5 mW本振功率的驱动下,在328 GHz可得到最小变频损耗10.4 dB,在320~340 GHz范围内,单边带变频损耗小于14.7 dB.

基于肖特基二极管的单片集成560 GHz混频器

介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560 GHz。该混频器采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于某聚合物材料的无源结构的传输损耗降至14.4-15.5 Np/m。相比于基于传统石英介质基片和半导体介质基片的传输线,传输损耗降低了一半以上。同时为了降低高频损耗,提高电路效率,二极管需采用亚微米结构,结半径为0.5μm,结电容为1.5 fF。无源结构和有源结构的同时优化使得该倍频器在540~580 GHz的工作频带内,变频损耗优于-8 dB,回波损耗优于10 dB。并且由于无源部分均采用创新的混合传输结构,在保证单模传输的条件下增大了混频器电路整体的物理尺寸,降低了腔体加工的工艺难度,使得今后大于1 THz信号低损耗平面传输成为可能。

倍频器、分频器、混频器、变频器、移相器

本文介绍了同新型非谐振 FET 开关组合在一起的一个 Ka 频带4位移相器单片电路,它无需用电感器,其宽带开关特性达40GHz。在工作频率为345GHz 时,开发出的交换线路移相器 MMIC 的总相位偏移为3.3°rms,插入损耗偏移为0.9dB rms。在相对宽的33～36GHz 频率范围内,相位偏移小于7°rms。该 MMIC 芯片尺寸为2.5mm×2.2mm。由于其尺寸小、相移特性好,能可靠地应用于 Ka