基于工位自控制的全自动单片清洗设备的软件设计

为了更好的控制全自动单片清洗设备,通过研究设备的结构和运行流程,提出了一种基于工位自控制的方法实现设备自动运行的软件设计,使各工位并行运行,提高了运行效率。

硅片背面铜污染的清洗

H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O为半导体芯片生产过程中三种去除硅片背面铜污染的化学清洗液。在单片湿法清洗机上采用这三种化学液对直径300 mm具有类似于实际生产中铜污染的硅片进行了清洗,结果发现H2SO4/H2O2/H2O在清洗过程中不对硅片表面的Si3N4膜产生损伤,但铜污染的去除效率较低;HNO3/HF和HF/H2O2/H2O对Si3N4膜产生微量刻蚀,从而去除扩散至硅片内部铜污染,从而显示出较佳的去除效果。通过比较HF/H2O2/H2O中HF体积分数与Si3N4膜刻蚀深度和清洗后铜原子浓度,HF的体积分数为1.5%时,可以使硅片表面铜原子浓度降至1010cm-2以下,并且Si3N4膜厚的损失小于1 nm。

硅片湿法清洗工艺技术及设备发展趋势

简要介绍了硅片湿化学清洗工艺技术及清洗设备结构技术,包括一些典型的槽体结构、干燥工艺技术等。并就清洗技术的发展需要,阐述未来清洗设备的发展趋势。

浅谈硅片背面铜污染的清洗

在半导体芯片的生产过程中,硅片背面出现铜污染(以下简称Cu污染)的现象屡见不鲜。目前有三种溶液配制成的混合液可作为清洗液使用,它们分别是由H2SO4/H2O2/H2O、HNO3/HF和HF/H2O2/H2O各按照一定比例配制成的。本文就是针对这三种清洗液展开讨论,浅谈清洗液对于硅片背面Cu污染的清洗。

碳化硅晶圆的清洗工艺研究

随着碳化硅功率芯片的线宽要求越来越高,污染物对晶圆和器件的影响也愈发突出,以致于洁净表面的清洗技术日益重要。本文借鉴传统的硅片清洗方法,开发了碳化硅晶圆的清洗工艺,并介绍了常用的晶圆清洗方法。其中湿法清洗占主流地位,湿法清洗工艺多采用RCA标准清洗法,配合一些基于物理的清洗方式如超声波、兆声波,流体射流、毛刷等,可满足大多数晶圆片的清洗要求。对于湿法清洗,常用清洗设备为槽式多片清洗机和单片清洗机等。掌握晶圆片清洗工艺技术是碳化硅晶圆产品开发中的关键环节。