单片铅-盐红外辐射探测器及制作方法

美国专利US6734516 (2004年5月11日授权) 目前有多种高性能混成红外探测器存在,如HgCdTe或InSb等。这些探测器需要低温致冷,成本较高。除此之外,还有两种工作温度接近室温的红外探测器,如微测辐射热计和InGaAs探测器,遗憾的是。

混成铅-盐红外辐射探测器及其制作方法

红外探测器一般由许多个探测元件组成,其中每个探测元件用于探测一个场景中的一小部分。这些探测元件可以用单片方式做在集成电路上,也可以先做在其自己的衬底上,然后再与集成电路耦合。单片结构的优点是加工步骤少和性能受吸收的影响小。