220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器

南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。

硅基GaN单片功率集成电路的研制

研制了一款基于硅基GaN工艺,包含增强型器件、耗尽型器件和整流二极管的硅基GaN单片功率集成电路,实现了逻辑驱动电路和功率器件的集成。重点对增强型器件制作工艺流程进行研究,同时,优化“T”型栅栅脚电场工艺。经过测试,硅基GaN单片功率集成电路的最大电流大于600 mA。研制结果验证了全GaN工艺实现逻辑驱动电路和功率器件系统集成的可行性,为复杂功能电路的开发提供方向和思路。

基于InP DHBT工艺的140 GHz单片功率放大器

磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有超高频、高击穿等优点,在亚毫米波/太赫兹单片集成功率放大器应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76.2 mm InP DHBT圆片工艺,在国内首次研制出140 GHz单片集成功率放大器,该电路使用多层布线工艺以实现低损耗的薄膜介质微带线。电路拓扑方面,采用4级放大结构,末级采用4个发射极宽度0.5μm的单指InP DHBT器件进行功率合成,芯片面积约为2.0 mm×1.9mm。

双频/GSM 3.6V集成功率放大器

Ｍｏｔｏｒｏｌａ公司的ＭＲＦＩＣ１８５９是一款双频单电源(３．６Ｖ)ＲＦ集成功率大器,专门用于ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００手持装置。做一些适当的电路变更,它也可以用于三频ＧＳＭ９００/ＤＣＳ１８００/ＰＣＳ１９００设备。其ＧＳＭ/ＤＣＳ典型性能(在３．６Ｖ)是:ＧＳＭ:３５．８ｄＢｍ(５３%ＰＡＥ),ＤＣＳ:３４ｄＢｍ(４３%ＰＡＥ)。

精密双通道差分放大器AD8270

AD8270是模拟器件公司生产的一种精密双通道差分放大器单片IC．其应用领域有仪器放大器积木式组件、电平转换器、自动测试设备、高性能音频设备和Sin／Cos编码器等。

ADI推出RF可变增益放大器ADL5330

美国模拟器件公司(ADI)日前推出单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)ADL5330，它以RF功率水平作用于无线基础设施设备，能提供1MHz～3GHz带宽且具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。

业界首款提供1MHz～3GHz宽带增益和功率控制的单片RF VGA

美国模拟器件公司(Analog Devices，Inc．缩写ADI)推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至关重要，而且从未在一颗单芯片集成电路(IC)中实现过。

首款单片RF VGA

美国模拟器件公司(ADI)推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器和衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作，用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz-3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。

单片RF VGA ADL5330

美国模拟器件公司(Analog Devices)近日推出业界首款单片射频(RF)可变增益放大器或衰减器(VGA)，它以RF功率水平工作用于无线基础设施设备。ADL5330也是首款能提供1MHz～3GHz宽频带具有以dB为单位呈线性60dB增益控制范围的单片VGA。这些特点对于要求严格的无线电设计至关重要，而且从未在一颗单芯片集成电路(IC)中实现过。