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2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件
被引量:
4
1
作者
罗毅
孙长征
+7 位作者
文国鹏
李同宁
杨新民
吴又生
王任凡
王彩玲
黄涛
金锦炎
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期416-420,共5页
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后...
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后的发射模块阈值电流约为20~30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mW,在3V的反向调制电压下消光比约为17dB.我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输实验.经过240km普通单模光纤传输后,在误码率为10-10的情况下功率代价小于0.5dB.
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关键词
分布反馈激光器
电吸收调制器
单片集成器件
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职称材料
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量:
1
2
作者
张晓丹
赵杰
+1 位作者
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快...
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
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关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单
片
集成
光电
器件
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职称材料
题名
2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件
被引量:
4
1
作者
罗毅
孙长征
文国鹏
李同宁
杨新民
吴又生
王任凡
王彩玲
黄涛
金锦炎
机构
清华大学电子工程系
武汉电信器件公司
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第5期416-420,共5页
基金
国家"863"高技术计划
国家自然科学基金杰出青年基金
自然科学基金重大基金
文摘
本文在已经报道的采用直接集成方法制作的1.55μmInGaAsP/InP部份增益耦合DFB激光器与电吸收调制器的单片集成器件的基础上,进一步对器件的性能进行了改进,并采用标准14脚蝶型管壳对集成器件进行了封装.封装后的发射模块阈值电流约为20~30mA,边模抑制比大于40dB,耦合输出光功率大于2mW,在3V的反向调制电压下消光比约为17dB.我们还在2.5Gb/s波分复用系统上对集成器件进行了传输实验.经过240km普通单模光纤传输后,在误码率为10-10的情况下功率代价小于0.5dB.
关键词
分布反馈激光器
电吸收调制器
单片集成器件
分类号
TN242 [电子电信—物理电子学]
TN761.02 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
被引量:
1
2
作者
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
机构
天津师范大学物理与电子信息学院
南开大学物理系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第2期119-123,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目 ( 6 9886 0 0 1)
文摘
采用光荧光谱 (PL)和光调制反射谱 (PR)的方法 ,研究了由Si3 N4 、SiO2 电介质盖层引起的无杂质空位(IFVD)诱导的InGaAsP四元化合物半导体多量子阱 (MQWs)结构的带隙蓝移。实验中Si3 N4 、SiO2 作为电介质盖层 ,用来产生空位 ,再经过快速热退火处理 (RTA)。实验结果表明 :多量子阱结构带隙蓝移和退火温度、复合盖层的组合有关。带隙蓝移随退火温度的升高而加大。InP、Si3 N4 复合盖层产生的带隙蓝移量大于InP、SiO2 复合盖层。而InGaAs、SiO2 复合盖层产生的带隙蓝移量则大于InGaAs、Si3 N4 复合盖层。同时 ,光调制反射谱的测试结果与光荧光测试的结果基本一致 ,因此 。
关键词
无杂质空位诱导无序
光荧光谱
光调制反射谱
铟镓砷磷化合物
磷化铟
多量子阱结构
单
片
集成
光电
器件
Keywords
impurity free vacancy disordering
photoluminescence
photoreflectance
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
TN36 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
2.5Gb/s1.55μm InGaAsP/InP分布反馈激光器/电吸收调制器单片集成器件
罗毅
孙长征
文国鹏
李同宁
杨新民
吴又生
王任凡
王彩玲
黄涛
金锦炎
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
4
下载PDF
职称材料
2
无杂质空位扩散法造成InGaAsP/InP多量子阱结构带隙蓝移规律的研究
张晓丹
赵杰
王永晨
金鹏
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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职称材料
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