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单片CMOS闪烁电路的研制
1
作者
陆瑞良
张芸
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期46-52,共7页
本文主要介绍一种单片CMOS闪烁电路的基本构造、设计和研制。提出了CMOS振荡器的RC网络的设计方法。研制测试表明,该电路可输出1~4Hz、大于5mA的电流,符合设计的要求。
关键词
单片cmos
闪烁电路
报警信号
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职称材料
Silicon Lab.针对GSM/GPRS市场推出单片CMOS功率放大器Si4300
2
《电子与电脑》
2004年第3期82-84,共3页
Si4300整合了包括收发器到天线开关模块(Antenna Switch Module,简称ASM)的所有功能,包括完整的功率控制电路、过热和负载不匹配保护功能、谐波滤除以及输入和输出匹配电路。Si4300采用台积电的标准0.35微米CMOS制程技术,是第一颗利用C...
Si4300整合了包括收发器到天线开关模块(Antenna Switch Module,简称ASM)的所有功能,包括完整的功率控制电路、过热和负载不匹配保护功能、谐波滤除以及输入和输出匹配电路。Si4300采用台积电的标准0.35微米CMOS制程技术,是第一颗利用CMOS技术制造的GSM功率放大器解决方案。
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关键词
单片cmos
功率放大器
SI4300
ASM
cmos
制程技术
GSM/GPRS市场
SILICON
Laboratories公司
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职称材料
基于与分离电路相比较的单片集成混频器改进
3
作者
张世平
《科技资讯》
2010年第31期107-108,共2页
本文结合混频器的主要性能指标,从工艺集成度、无源器件模型、电路原理组成和改进方法四个方面比较分析了单片集成混频器与其他分离混频器。在此基础上提出自己对单片集成CMOS RF混频器的改进电路,可作为2.4GHz频段IEEE802.11g无线局域...
本文结合混频器的主要性能指标,从工艺集成度、无源器件模型、电路原理组成和改进方法四个方面比较分析了单片集成混频器与其他分离混频器。在此基础上提出自己对单片集成CMOS RF混频器的改进电路,可作为2.4GHz频段IEEE802.11g无线局域网前端射频集成电路。
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关键词
单
片
集成
cmos
RF混频器
隔离度
线性度
转换增益
功耗
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职称材料
图示均衡器LMC835及其应用
4
作者
潘瑞华
《电子技术应用》
北大核心
1990年第2期28-32,共5页
图示均衡器LMC835是美国国家半导体公司生产的单片CMOS 大规模集成电路。它以三线输入的数控方式完成H1—F1图示均衡器功能,省掉了一般图示均衡器所必需的多个特殊要求的控制电位器。具有噪声小、失真低、频段多、调节范围宽等特点。尤...
图示均衡器LMC835是美国国家半导体公司生产的单片CMOS 大规模集成电路。它以三线输入的数控方式完成H1—F1图示均衡器功能,省掉了一般图示均衡器所必需的多个特殊要求的控制电位器。具有噪声小、失真低、频段多、调节范围宽等特点。尤宜应用于带微处理器(CPU)的音响装置中,除用作图示均衡器外,还能实现立体声音频合成、立体声音量控制、自动选台、自动选曲等多种功能。
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关键词
图示
均衡器
LMC835型
单片cmos
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职称材料
24比特/192kHz音频D/A变换器PCM1737
5
作者
岳云
《世界电子元器件》
2001年第10期47-47,共1页
TI的Burr-Brown开发的24比特/192kHz音频数/模变换器PCM1737是一种单片CMOS集成电路,它采用独特的增强型多比特△∑结构,该结构应用4阶噪声整型和8级幅度量化处理实现了极佳的动态特性并提高了时钟抖动容限。
关键词
音频数/模变换器
单片cmos
集成电路
PCM1737
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职称材料
题名
单片CMOS闪烁电路的研制
1
作者
陆瑞良
张芸
机构
苏州半导体总厂
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990年第6期46-52,共7页
文摘
本文主要介绍一种单片CMOS闪烁电路的基本构造、设计和研制。提出了CMOS振荡器的RC网络的设计方法。研制测试表明,该电路可输出1~4Hz、大于5mA的电流,符合设计的要求。
关键词
单片cmos
闪烁电路
报警信号
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
Silicon Lab.针对GSM/GPRS市场推出单片CMOS功率放大器Si4300
2
机构
编辑部
出处
《电子与电脑》
2004年第3期82-84,共3页
文摘
Si4300整合了包括收发器到天线开关模块(Antenna Switch Module,简称ASM)的所有功能,包括完整的功率控制电路、过热和负载不匹配保护功能、谐波滤除以及输入和输出匹配电路。Si4300采用台积电的标准0.35微米CMOS制程技术,是第一颗利用CMOS技术制造的GSM功率放大器解决方案。
关键词
单片cmos
功率放大器
SI4300
ASM
cmos
制程技术
GSM/GPRS市场
SILICON
Laboratories公司
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
基于与分离电路相比较的单片集成混频器改进
3
作者
张世平
机构
安徽财贸职业学院
出处
《科技资讯》
2010年第31期107-108,共2页
文摘
本文结合混频器的主要性能指标,从工艺集成度、无源器件模型、电路原理组成和改进方法四个方面比较分析了单片集成混频器与其他分离混频器。在此基础上提出自己对单片集成CMOS RF混频器的改进电路,可作为2.4GHz频段IEEE802.11g无线局域网前端射频集成电路。
关键词
单
片
集成
cmos
RF混频器
隔离度
线性度
转换增益
功耗
分类号
G712 [文化科学—职业技术教育学]
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职称材料
题名
图示均衡器LMC835及其应用
4
作者
潘瑞华
机构
杭州商学院
出处
《电子技术应用》
北大核心
1990年第2期28-32,共5页
文摘
图示均衡器LMC835是美国国家半导体公司生产的单片CMOS 大规模集成电路。它以三线输入的数控方式完成H1—F1图示均衡器功能,省掉了一般图示均衡器所必需的多个特殊要求的控制电位器。具有噪声小、失真低、频段多、调节范围宽等特点。尤宜应用于带微处理器(CPU)的音响装置中,除用作图示均衡器外,还能实现立体声音频合成、立体声音量控制、自动选台、自动选曲等多种功能。
关键词
图示
均衡器
LMC835型
单片cmos
分类号
TN715 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
24比特/192kHz音频D/A变换器PCM1737
5
作者
岳云
出处
《世界电子元器件》
2001年第10期47-47,共1页
文摘
TI的Burr-Brown开发的24比特/192kHz音频数/模变换器PCM1737是一种单片CMOS集成电路,它采用独特的增强型多比特△∑结构,该结构应用4阶噪声整型和8级幅度量化处理实现了极佳的动态特性并提高了时钟抖动容限。
关键词
音频数/模变换器
单片cmos
集成电路
PCM1737
分类号
TN792 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单片CMOS闪烁电路的研制
陆瑞良
张芸
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1990
0
下载PDF
职称材料
2
Silicon Lab.针对GSM/GPRS市场推出单片CMOS功率放大器Si4300
《电子与电脑》
2004
0
下载PDF
职称材料
3
基于与分离电路相比较的单片集成混频器改进
张世平
《科技资讯》
2010
0
下载PDF
职称材料
4
图示均衡器LMC835及其应用
潘瑞华
《电子技术应用》
北大核心
1990
0
下载PDF
职称材料
5
24比特/192kHz音频D/A变换器PCM1737
岳云
《世界电子元器件》
2001
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
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