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单电子晶体管放大器的数值分析
被引量:
7
1
作者
沈波
蒋建飞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期626-630,共5页
本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型,研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性.结果表明:单电子晶体管放大器具有灵敏度高,功耗低等优点,缺点是由于几率工作,工作条件受到严格的限制.
关键词
单
电子
晶体管
放大器
单电子隧道效应
下载PDF
职称材料
电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟
2
作者
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期263-268,共6页
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温...
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。
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关键词
库仑阻塞
单电子隧道效应
单
电子
晶体管
下载PDF
职称材料
单电子晶体管悄然兴起
3
作者
羽龙
《世界产品与技术》
2003年第6期53-55,共3页
纳米器件与单电子晶体管所谓纳米科技是指在纳米尺度(0.1一100nm)范围内研究物质(包括原子、分子的操纵和安排)的特性和相互作用以及如何利用这些特性和相互作用的具有多学科交叉性质的科学和技术。国际纳米科学与技术常设委员会将纳米...
纳米器件与单电子晶体管所谓纳米科技是指在纳米尺度(0.1一100nm)范围内研究物质(包括原子、分子的操纵和安排)的特性和相互作用以及如何利用这些特性和相互作用的具有多学科交叉性质的科学和技术。国际纳米科学与技术常设委员会将纳米科技分成6个主要部分,纳米电子学、纳米物理学、纳米化学、纳米生物学、纳米机械学和纳米表征测量学。纳米电子学被列为其首要部分是因为它与当前在科技和生产中起重要作用的微电子有密切关系。美国制定的《国家纳米技术战略》以纳米电子学为主攻方向。
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关键词
单
电子
晶体管
纳米
电子
器件
库仑阻塞
效应
单电子隧道效应
SET
下载PDF
职称材料
题名
单电子晶体管放大器的数值分析
被引量:
7
1
作者
沈波
蒋建飞
机构
上海交通大学微电子研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第8期626-630,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文基于单电子隧道效应晶体管的半经典模型,研究了电容耦会单电子隧道晶体管放大器的静态特性和小信号特性.结果表明:单电子晶体管放大器具有灵敏度高,功耗低等优点,缺点是由于几率工作,工作条件受到严格的限制.
关键词
单
电子
晶体管
放大器
单电子隧道效应
Keywords
Amplifiers (electronic)
Numerical analysis
Transistors
分类号
TN321 [电子电信—物理电子学]
TN722.302 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟
2
作者
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
机构
上海交通大学微电子研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期263-268,共6页
基金
国家自然科学基金!69671005
文摘
基于单电子隧道效应的半经典模型,研究了电容耦合三结高温超导单电子晶体管的基本方程,分析了其I-V特性,并对两结和三结高温超导单电子晶体管的特性进行了比较。结果表明,单电子晶体管的特性与常规晶体管有很大的差别,且三结高温超导单电子晶体管比两结高温超导单电子晶体管有更高的灵敏度和更强的抗电磁干扰能力。
关键词
库仑阻塞
单电子隧道效应
单
电子
晶体管
Keywords
Coulumn Blockade Single Tunneling Effect Nanometer Tunnel Junction Single Electron Transistor
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
单电子晶体管悄然兴起
3
作者
羽龙
出处
《世界产品与技术》
2003年第6期53-55,共3页
文摘
纳米器件与单电子晶体管所谓纳米科技是指在纳米尺度(0.1一100nm)范围内研究物质(包括原子、分子的操纵和安排)的特性和相互作用以及如何利用这些特性和相互作用的具有多学科交叉性质的科学和技术。国际纳米科学与技术常设委员会将纳米科技分成6个主要部分,纳米电子学、纳米物理学、纳米化学、纳米生物学、纳米机械学和纳米表征测量学。纳米电子学被列为其首要部分是因为它与当前在科技和生产中起重要作用的微电子有密切关系。美国制定的《国家纳米技术战略》以纳米电子学为主攻方向。
关键词
单
电子
晶体管
纳米
电子
器件
库仑阻塞
效应
单电子隧道效应
SET
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单电子晶体管放大器的数值分析
沈波
蒋建飞
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
7
下载PDF
职称材料
2
电容耦合三结高温超导单电子晶体管数值模拟
童明照
蒋建飞
蔡琪玉
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
下载PDF
职称材料
3
单电子晶体管悄然兴起
羽龙
《世界产品与技术》
2003
0
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职称材料
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