一种单电容集中式均衡电路

传统Buck-Boost型电池均衡电路存在能量传输路径长和均衡速度慢等缺点,而其改进型电路也存在电路复杂、均衡速度不一致的问题。提出一种单电容集中式均衡电路,该电路利用电容器作为虚拟电池临时存储能量,而后周期性地将存储的能量反馈回整组电池,实现对电池组的均衡,解决了传统Buck-Boost均衡电路均衡速度不一致的问题。在研究了该均衡电路的工作模式和控制策略的基础上,设计了4个电池的均衡实验电路对工作原理和控制策略进行验证,并进行对比实验。实验结果表明,该均衡电路具有均衡速度快、各电池单体均衡速度一致、能量损耗小的优点。

基于单电容定时的爆闪灯用脉冲序列发生器

提出了一种利用单电容定时的用于爆闪式信号灯的脉冲序列发生器。这种脉冲序列发生器由于使用了一个定时电容,克服了传统的脉冲序列发生器由于使用2个定时电容,从而因电容误差和温度变化所引起的脉冲个数不稳定的现象。

基于双边LC补偿的单电容耦合无线电能传输系统

单电容耦合无线电能传输(SCC-WPT)消除了传统电场耦合式无线电能传输(EC-WPT)中交叉耦合电容的影响,更适用于二维平面移动设备的无线供电。但现有的SCC-WPT系统由于其功率等级小、传输效率低限制了该技术的进一步发展。该文对SCC-WPT系统的拓扑结构和参数设计方法进行研究,给出一种可使系统输出功率和效率大幅度提升的拓扑结构和两种参数设计方法。基于提出的拓扑和参数设计方法搭建实验样机,通过实验对系统的能效特性、输出特性和抗偏移性能进行研究。实验样机在采用LCC配谐方法时输出功率达到1.43kW,效率达到85.9%,且具有恒流特性;采用LC配谐方法时,系统输出功率达到1.24kW,效率达到91.9%,且具有恒压特性;同时两种配谐方法都使系统具有较好的抗偏移特性。该文的研究成果给SCC-WPT技术提供了新的研究思路,有利于促进SCC-WPT系统的机理研究和该技术的进一步发展。

一种单电容单层的削峰填谷式锂电池均衡电路

介绍一种单电容单层的削峰填谷式锂电池均衡电路,该电路结构简单,成本低,实现了削峰填谷式均衡,理论上达到了无损均衡,实现了能量利用的最大化。经仿真、测试,得到了较好的性能曲线。

单电容米勒补偿三级运放设计

为了满足低压电路的工作要求,我们设计了一种新型的三级运放。该运放采用单电容米勒补偿与交叉多径嵌套补偿结合的方法,利用前馈通路在左半平面形成的零点来补偿其在主通路中的极点。通过使用TSMC 0.18μm工艺仿真。仿真结果表明:该运放能够获得113 dB的增益,有着87°的相位裕度,在1.8 V电源电压和120 pF负债的情况下,整体功耗只有0.534 mW。由此可见,这种新型的补偿方式能够有效地对运放进行补偿,并且使运放获得较高的增益以及较大相位裕度。

基于双边LCLC补偿的单电容耦合无线电能传输系统研究

无线电能传输技术可实现电能在负载与电源之间的无线传输,可有效解决传统插拔式充电装置在能源传输过程中存在的磨损、漏电、短路等问题,同时具有结构简单、使用方便等特点,在交通、能源、国防等领域有美好的应用前景。本文研究双边LCLC补偿下的单电容耦合CPT系统的数学模型、补偿方法,并搭建试验样机进行试验验证,经过对比分析,结果表明,双边LCLC补偿下的单电容耦合CPT系统具有较高的传输效率,同样能实现电能的高效无线传输,验证了该系统的有效性。

单密勒电容补偿的三级误差运放电路

提出了一种新的单密勒电容补偿的低压三级误差运放结构和一种新的零极点补偿方法(DPZC),其利用两个前馈通路产生两个左半平面的零点去补偿运放主通路中的主极点及两个非主极点.运放传输函数的极点位置由运放主通路的参数决定,零点的位置由两个前馈通路的参数决定,因此改变运放零点的位置并不影响极点的位置,从而可以非常方便地控制补偿因子来获得所需的性能.仿真结果表明:本文提出的结构及补偿方法打破了传统的电路结构及补偿方法对运放带宽的限制,运放不仅具有非常大的带宽而且具有非常好的相位裕度.当负载为100pF//25kΩ,补偿电容为2pF及补偿因子为4时,该运放具有100dB的电压增益、25MHz的带宽、90°的相位裕度和0.625mW的功耗.

新型单片电容式传感器的研制

介绍研制成功的一种单片电容式传感器的测头工作原理 ,提出了一种用于非金属薄膜测厚的单片电容式检测技术。通过对测量准确度的分析和实际应用 ,证明效果良好 ,在纸张、塑料薄膜、工业胶片及纬编织物等非金属薄膜测厚方面有很大的实用价值。

单密勒电容补偿多级放大器的设计(英文)

提出了一种结构简单的全新单密勒电容补偿技术。理论分析表明,该技术无需运放的跨导逐级增加就能获得良好的稳定特性,而且单位增益带宽大、补偿电容小。特别是每增加一级放大电路,就会增加一个左半平面零点,从而有效抵消新增加极点对运放稳定性的影响,因此该补偿技术很容易拓展到N(N>3)级联放大结构,这一特性有利于运放在实际中的运用。

基于单片式电容传感器的动态测厚技术

介绍一种新型的单片式电容传感器,同时应用此传感器研制出一种薄膜动态测厚系统,这种装置必将大大提高生产厂家的生产率,提高产品的质量;使经济效益得到明显的提高。

10kV单星形接线电容器组早期故障预警方案

通过对单台电容器故障形成、发展的机理分析,论述了外熔丝结构和内熔丝结构单星形接线电容器组在电容器元件故障时的外在运行参数的变化规律。通过理论的研究与推导,提出了单星形接线电容器组早期故障预警的模型。

晶界层介电陶瓷及其单层电容器

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能的关系.通过等效电路分析,XRD,SEM显微结构观察,探讨了晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,制成了介电系数可调(10000~50000),电容量变化率低(±4.7%~±22%),使用温域宽(-55^+125℃)的单层片式晶界层电容器.

用于微波电路的单层片式晶界层电容器

研究了施主掺杂还原气氛烧结的SrTiO3基半导体瓷的组成与性能关系。通过等效电路分析,XRD、SEM显微结构观察,探讨晶界效应及其特性对瓷料性能作用的机理,从而制成介电系数可调(10000～50000),电容量变化率低(≤±4.7%～≤±22%),使用温域宽(-55℃～+125℃)的单层片式晶界层电容器瓷片。通过在瓷片上溅射和电镀方法制作电极,并以光刻腐蚀,精密加工成通用型、表面贴装型、多电极型和阵列型的单层片式电容器,用于微波电路。

陶瓷基单层电容器(SLC)阵列设计与加工工艺实验研究

本文以SLC单层电容应用背景为前提,以介质陶瓷研究为衬底,采用半导体制造工艺技术探索陶瓷基SLC的制备工艺。首先利用专业软件L-EDIT进行设计掩模版图形,完成SLC单层电容所需掩模版加工制作;然后充分探索SLC制备环节中光刻工艺关键技术与参数,摸索出光刻环节线宽精度到1μm的工艺过程最后探索磁控溅射技术各项参数,调整工艺,制备出与掩模版图形设计相符合的SLC单层电容阵列。

单层陶瓷电容器用陶瓷基片烧制方法研究

为了获得适用于单层陶瓷电容器的陶瓷基片,采用Ⅰ类陶瓷粉末为原材料制备基片生坯并将基片生坯烧结形成陶瓷基片。研究了烧制方法对烧结后基片平整度的影响。结果发现采用多个基片生坯和氧化锆膜交替地自然堆叠的方式装钵,并选择合适的升温速率进行烧结,得到的基片平整度高,制得的单层陶瓷电容器电性能好。

单层片式瓷介电容器电镀金工艺

介绍了单层片式瓷介电容器镀金设备的选择和挂具的设计要点。采用中性微氰镀金溶液电镀金,研究了Au^(+)质量浓度对电镀金允许电流密度范围的影响,以及脉冲参数对镀层表面粗糙度的影响。建议在实际生产中控制参数如下:Au^(+)质量浓度约7 g/L,平均电流密度0.3~0.4 A/dm^(2),频率2000 Hz,占空比20%。介绍了镀液的维护要点,以及镀金层的外观、结合力、厚度、键合强度等性能的要求和检测方法。

改进的超级电容器组的均压建模与仿真

超级电容器在许多领域得到了越来越广泛的应用,但是工作电压不平衡是阻碍其发展的一个重要因素。为了抑制分散性对电容单体电压的影响,减小单体电容之间的电压差,增加电容器的使用寿命,电容器往往需要作均压处理。针对单电容均压法搭建了相应的电路模型,在单电容均压基础上提出了新的改进控制策略对电压进行二次均衡,分析了其工作特性和电压均衡的详细过程,最后通过Matlab进行了仿真验证,结果表明该方法具有结构简单、效率高等特点,有很高的实用性。

加底推挽变换器的输出电容结构优化

传统加底推挽变换器(APPC)采用三电容结构,输入端口通过加底支路与输出电容直接连接,会对系统的闭环输入阻抗以及闭环音频衰减率产生不良的影响.为了消除该影响,将三电容结构优化为单电容结构,考虑杂散参数,建立基于单电容和三电容两种结构的APPC变换器的小信号模型,分析比较两种电容结构下的环路增益、闭环输出阻抗、闭环输入阻抗以及闭环音频衰减率.理论与实验结果证明,单电容结构更适用于APPC变换器.

四氧化三钴超级电容器电极材料的制备与研究

电极材料是决定电化学电容器性能的一个主要方面，研究与开发高性能的电极材料是人们的研究重点之一。碳电极材料比电容较小；钌等贵重金属氧化物电极材料比电容量虽然很高，但昂贵的价格限制了其实际应用。因此价格低廉、环境友好、同样具有较高氧化还原电容的过渡金属氧化物成为目前超级电容器的研究热点之一。以硝酸钴为原料，以柠檬酸为模板水热合成了前驱体，200℃热处理后得到了四氧化三钴。循环伏安、恒流放电等电化学测试表明，200℃所得四氧化三钴电极在6mol／L氢氧化钾溶液中和-0．1～0．5V（vs．SCE）电位范围内，具有较好的循环稳定性能，单电极比电容达到442F／g。为开发高性能的超级电容器电极材料提供了参考。